时间：2025/9/14 20:03:50
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BF820W,115 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的高压工艺制造，具备良好的导通特性和快速开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：7A（在 25°C 环境温度下）
导通电阻（Rds(on)）：约 2.0Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V 至 4.0V
最大功耗（Ptot）：50W
封装形式：TO-220AB
BF820W,115 具有优异的电气性能和耐用性，其主要特点包括高耐压能力和相对较低的导通电阻，这使其在高压开关应用中表现出色。该器件的漏源电压最大可达 800V，能够满足高压电源转换器、开关电源（SMPS）等应用的需求。此外，其漏极电流额定值为 7A，在高电流负载下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 的导通电阻约为 2.0Ω，这一数值虽然不算最低，但在同类器件中仍具有竞争力，有助于降低导通损耗，提高系统效率。栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，表明其能够在较低的控制电压下正常工作，适用于多种控制电路设计。
封装方面，BF820W,115 采用 TO-220AB 标准封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装在散热片上，适用于各种工业和消费类电子设备。此外，该器件的最大功耗为 50W，表明其具备较高的热稳定性，能够在较高温度环境下运行。
BF820W,115 还具有较快的开关速度，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率。其适用于多种应用领域，如电源适配器、LED 驱动器、电机控制电路等。此外，由于其高耐压能力，该器件也常用于离线式开关电源和高压 DC-DC 转换器中。
BF820W,115 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器、电机控制电路、家用电器中的电源管理模块、工业自动化设备以及电池管理系统等。由于其高耐压和良好的导通性能，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。
STP8NM80T、FQA7N80、IRF840、BF820、BF822
