BF820是一种高频双极型晶体管,主要用于射频和中频放大应用。该晶体管属于硅锗(SiGe)双极型晶体管系列,具有较高的增益带宽积(fT),适合在高频通信系统、无线设备及雷达系统中使用。其优异的射频性能和低噪声特性使其成为许多高性能放大器电路的理想选择。
集电极-发射极电压:45V
集电极电流:150mA
增益带宽积:8GHz
特征频率(fT):8GHz
最大耗散功率:375mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
BF820晶体管以其高增益带宽积而著称,能够在高频条件下提供稳定的增益表现。
此外,它还具备较低的噪声系数,非常适合用于低噪声放大器设计。
由于采用了先进的硅锗工艺,BF820在高温环境下依然能够保持良好的电气性能。
其封装形式紧凑,便于集成到小型化设计中。
该器件支持多种偏置条件,并且可以在较宽的工作温度范围内稳定运行。
BF820广泛应用于高频通信领域中的信号放大任务,例如:
1. 射频前端模块中的低噪声放大器(LNA)。
2. 中频放大器的设计与实现。
3. 高灵敏度接收机电路。
4. 雷达系统的信号处理环节。
5. 测试测量设备中的高频信号调理部分。
BF840,BF993