BF6921A8 时间：2025/12/25 22:06:46 阅读：16

BF6921A8是一款由比亚迪半导体推出的N沟道功率MOSFET，主要应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于多种中低压功率应用。其封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装型封装，便于在PCB上进行高效散热设计与自动化生产。BF6921A8广泛用于电动车电源系统、工业控制设备、LED驱动电源及消费类电子产品中，能够有效提升系统的整体能效并降低功耗。作为国产功率器件的代表之一，BF6921A8在性能上可对标国际主流品牌同类产品，同时具备成本优势和本地化技术支持能力。

参数

型号：BF6921A8
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：60V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：120A
　　脉冲漏极电流Idm：480A
　　导通电阻Rds(on)：8mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：10mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷Qg：75nC @ Vgs=10V
　　输入电容Ciss：3400pF
　　输出电容Coss：950pF
　　反向恢复时间trr：35ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

BF6921A8采用先进的沟槽型MOSFET工艺结构，具备极低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为8mΩ（在Vgs=10V条件下），这使得其在大电流应用中表现出色，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件的高电流承载能力——连续漏极电流可达120A，脉冲电流高达480A，使其非常适合用于高功率密度设计，如电动车车载充电机、DC-DC变换器和电机控制器等场景。
　　其栅极电荷Qg为75nC，在高速开关应用中可以减少驱动功率需求，加快开关速度，从而降低开关损耗。同时，较低的输入电容（Ciss=3400pF）和输出电容（Coss=950pF）有助于提升高频响应性能，适合工作在几十kHz至数百kHz的开关频率下。此外，反向恢复时间trr仅为35ns，配合快速体二极管特性，能够在桥式电路或同步整流中有效抑制电压尖峰和电磁干扰，提高系统可靠性。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55℃至+175℃，展现出优异的热稳定性和环境适应性，可在高温工业环境中长期稳定运行。TO-252封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还具备较强的散热能力，通过PCB上的铜箔即可实现有效热传导，无需额外加装复杂散热装置。比亚迪半导体对该产品进行了严格的可靠性测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，确保其在严苛工况下的长期耐用性。

应用

BF6921A8广泛应用于各类中低压大电流功率转换系统中。典型应用场景包括电动车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及工业电机驱动器中的H桥功率级。此外，它也适用于服务器电源、通信电源、LED恒流驱动电源和高效率开关电源（SMPS）等对能效和可靠性要求较高的场合。由于其出色的导通特性和热性能，BF6921A8还可用于大功率适配器、电动工具电源模块及新能源储能系统的功率开关单元。在需要并联使用的高电流设计中，其一致性的参数表现也有助于均流设计，提升系统稳定性。