类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　功耗（Pd）：400mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　跨导（Gm）：20000 μS
　　输入电容（Ciss）：8pF
　　输出电容（Coss）：3pF
　　反向传输电容（Crss）：1.5pF
　　开启电压（Vgs(th)）：1V ~ 2V
　　截止频率（fT）：500MHz

BF355具备优异的高频响应能力，这主要归功于其较高的跨导值和较低的寄生电容。其跨导可达20000微西门子，意味着在较小的栅极电压变化下即可产生较大的漏极电流变化，从而实现高电压增益，非常适合用于小信号放大场景。
　　此外，该器件的输入电容仅为8皮法，输出电容为3皮法，反向传输电容低至1.5皮法，这些参数有效降低了高频下的反馈效应和信号损耗，提升了电路的稳定性与带宽表现。这种低电容特性使得BF355在射频电路中能够减少不必要的耦合和振荡风险，尤其适合构建调谐放大器或选频网络。
　　另一个显著特点是其低阈值电压，开启电压范围为1V至2V，允许在低电压系统中可靠导通，例如3.3V或5V供电的便携式设备。同时，由于是电压驱动型器件，栅极几乎不吸取电流，因而对前级驱动电路的负载极小，有利于提升整体能效。
　　BF355还表现出良好的热稳定性，在-55°C到+150°C的结温范围内均可正常工作，确保了其在高温或低温极端环境下的可靠性。尽管其最大漏极电流仅为100mA，限制了其在大功率应用中的使用，但这一设计恰恰优化了其在小信号领域的性能表现，避免了过高的功耗和发热问题。
　　值得一提的是，该器件的封装小巧，通常为TO-92，便于在紧凑型PCB布局中使用，并支持通孔安装，增强了焊接可靠性。综合来看，BF355是一款专为高频、低噪声、低功耗应用场景优化的N沟道场效应晶体管，技术指标均衡，适合多种模拟和射频电路设计需求。

BF355常用于高频小信号放大电路，如无线接收机的射频前端放大器，能够有效放大微弱的天线信号而不引入过多噪声。它也被广泛应用于振荡器电路中，作为核心有源元件来维持稳定的振荡输出，例如在LC或晶体振荡器中提供必要的增益补偿。
　　在音频处理领域，BF355可用作前置放大器，尤其是在高阻抗信号源（如电容麦克风或拾音器）的接口电路中，利用其高输入阻抗特性减少信号衰减，提升信噪比。此外，由于其快速开关能力和低驱动电流需求，该器件也可用作高速开关元件，在数字逻辑接口或脉冲信号调理电路中发挥作用。
　　在消费类电子产品中，BF355常见于便携式收音机、对讲机、遥控装置和小型传感器信号调理模块中，承担信号放大的任务。其低功耗特性使其特别适合电池供电的应用场景，有助于延长设备续航时间。
　　工业控制领域中，该晶体管可用于隔离放大电路或作为模拟多路复用器的一部分，配合其他元件实现信号选择与增强。此外，在测试测量仪器中，BF355因其稳定的电气特性和宽频响表现，常被用于构建宽带放大链路或缓冲级电路，以保证信号完整性。
　　教育和实验平台也常选用BF355作为教学示范器件，帮助学生理解场效应管的工作原理、偏置电路设计及频率响应分析，具有较高的实用价值和教学意义。

2N3819
　　J310
　　U310
　　BF256B
　　MPF102