类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　功耗（Pd）：625mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　过渡频率（ft）：典型值600MHz
　　输入电容（Ciss）：典型值8pF
　　输出电容（Coss）：典型值4pF
　　跨导（gm）：典型值40mS
　　饱和漏电流（Idss）：约50mA @ Vds=10V
　　开启电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V

BF336作为一款专为高频小信号放大设计的N沟道MOSFET，具备多项优异的技术特性，使其在模拟与射频电路中表现突出。首先，其高过渡频率（ft）可达600MHz，意味着该器件可以在甚高频（VHF）段有效工作，适用于调频广播接收机、无线数据传输模块、电视调谐器等需要高频放大的应用场景。这一特性得益于器件内部结构的优化设计，包括缩短的沟道长度和降低的寄生电容，从而提升了载流子迁移效率和响应速度。
　　其次，BF336具有较低的输入电容（Ciss ≈ 8pF）和输出电容（Coss ≈ 4pF），这显著减少了在高频下因容抗引起的信号衰减和相位偏移，有利于实现更精确的阻抗匹配和更高的增益稳定性。同时，低电容特性也降低了器件对外部驱动电路的要求，简化了前级设计复杂度。
　　再者，该器件拥有较高的跨导（gm ≈ 40mS），表明其对栅极电压变化非常敏感，能将微弱的输入电压信号转换为较强的输出电流信号，这对于构建低噪声放大器尤为重要。配合合理的偏置电路，BF336可在最小噪声系数下运行，确保接收到的微弱射频信号得以清晰放大而不引入过多本底噪声。
　　此外，BF336具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。其封装采用标准TO-92形式，不仅体积小巧、便于布局，而且具备一定的散热能力，适合在紧凑型电子设备中使用。最后，该器件的开启电压范围合理（1.0V~2.0V），兼容多数逻辑电平和模拟供电系统，便于集成到多种电路架构中。综合这些特性，BF336成为许多高性能模拟前端设计中的优选器件。

BF336广泛应用于各类高频小信号处理电路中，尤其在射频和通信领域发挥着重要作用。其首要应用场景是作为低噪声放大器（LNA）用于无线接收系统的前端，例如调频（FM）收音机、短波接收机、无线麦克风、遥控装置和物联网（IoT）传感器节点等。在这些系统中，接收到的电磁信号极其微弱，需通过高增益、低噪声的放大器进行初步放大，而BF336凭借其高跨导和低噪声特性，能够有效提升信噪比，确保后续解调电路的正常工作。
　　此外，该器件也常用于振荡器电路中，作为有源元件参与正弦波或脉冲信号的生成。由于其快速的开关响应和稳定的增益特性，BF336可在LC或晶体振荡回路中提供必要的能量补偿，维持振荡持续稳定。这类应用常见于本地振荡源、时钟发生器和射频激励电路中。
　　在音频处理方面，BF336可用于前置放大级，特别是在高保真音响系统或专业录音设备中，用于放大来自麦克风或拾音器的微弱音频信号。虽然其主要定位为射频器件，但由于其线性度较好、失真较低，仍可在中低频段提供令人满意的音质表现。
　　另外，BF336还可用于模拟开关、调制解调电路以及电压控制电阻等非线性应用场合。在一些需要快速切换信号路径的系统中，利用其栅极电压控制漏源通断的能力，可实现高效的信号路由选择。总体而言，BF336凭借其高频性能、稳定性和通用性，已成为许多消费类电子、工业控制和通信设备中不可或缺的关键元件。

2N3819
　　J310
　　BF245C
　　U310
　　MPF102