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BF1206 发布时间 时间:2025/5/13 9:28:01 查看 阅读:2

BF1206是一种高频双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大器、混频器以及开关电路中。该器件具有高增益、低噪声和优良的线性特性,适用于通信设备、无线模块以及其他射频应用领域。
  BF1206采用塑料封装形式,通常为SOT-23小型化封装,便于在紧凑设计中使用。其主要材料为硅(Si),基于NPN结构设计。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCEO):25V
  集电极-基极击穿电压(VCBO):30V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大耗散功率(Ptot):340mW
  直流电流增益(hFE):150(典型值,@IC=2mA)
  特征频率(fT):800MHz
  工作温度范围(Tamb):-55℃至+150℃

特性

BF1206具有以下显著特性:
  1. 高频性能优越,特征频率达到800MHz,适合高频和射频应用。
  2. 直流电流增益较高,确保了稳定的信号放大能力。
  3. 低噪声系数,适用于对信噪比要求较高的场景。
  4. 小型化封装(SOT-23),节省空间并易于集成到现代电子设备中。
  5. 宽泛的工作温度范围,能够适应多种环境条件下的使用需求。
  6. 可靠性高,满足工业级和消费级应用场景的要求。

应用

BF1206的主要应用包括:
  1. 射频放大器设计,用于提高无线通信系统的信号强度。
  2. 中频(IF)放大器,适用于收音机、电视和其他音频视频设备。
  3. 混频器电路,用于频率转换或调制解调操作。
  4. 开关电路中的快速切换功能,例如电源管理模块。
  5. 无线模块内的前端信号处理部分。
  6. 测试与测量仪器中的高频信号路径组件。

替代型号

MRF1206, BFU1206

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BF1206参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类射频MOSFET小信号晶体管
  • 配置Dual Dual Gate
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压6 V
  • 闸/源击穿电压6 V
  • 漏极连续电流0.03 A
  • 功率耗散180 mW
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体UMT-6
  • 封装Reel - 7 in
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量3000
  • 零件号别名BF1206,115