BDY91 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关特性,适用于高频率开关操作。BDY91 通常用于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及各种电源管理系统。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):600 V
栅源电压(VGS):±30 V
连续漏极电流(ID)@ 25°C:12 A
最大功率耗散(PD):150 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
BDY91 MOSFET 具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。
首先,其漏源电压(VDS)高达 600V,使其适用于中高压电源应用,如工业电源和电机驱动器。
其次,该器件的导通电阻(RDS(on))较低,典型值在 0.3Ω 左右,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。
此外,BDY91 支持高达 12A 的连续漏极电流(ID),适合中高功率负载的应用需求。
其栅源电压范围为 ±30V,具有较强的栅极驱动能力,同时具备良好的抗过压能力,提高了器件的可靠性。
封装形式为 TO-220,具备良好的散热性能,适合在高功耗条件下使用。
最后,该器件的开关速度快,减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
BDY91 MOSFET 主要应用于各种中高压功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. **电源管理**:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器,实现高效的能量转换。
2. **电机控制**:在工业自动化设备和电机驱动器中,作为功率开关使用,控制电机的启停和转速。
3. **负载开关**:在电源管理系统中用于控制负载的接通与断开,如电池管理系统和智能配电系统。
4. **照明系统**:用于 LED 驱动电路和 HID(高强度气体放电灯)照明控制。
5. **家电设备**:如电热水壶、电磁炉等需要功率控制的家用电器中作为开关元件。
6. **新能源系统**:在太阳能逆变器、储能系统等新能源设备中用于功率控制和能量转换。
STP12N60M5, FQA12N60, IRFBC40