BDW94CFI 时间：2025/7/22 6:20:47 阅读：3

BDW94CFI 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高电流、高电压应用而设计，适用于电源管理和功率转换系统。BDW94CFI 采用了先进的沟道技术和优化的封装设计，具有出色的导通电阻和热性能，使其在高负载条件下依然能够保持稳定的工作状态。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.0085Ω（典型值为0.0075Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：310W

特性

BDW94CFI 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力，最大漏-源电压可达 100V，适用于多种中高功率应用。
　　该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通性能和开关速度，从而减少了开关损耗。同时，其高栅极电荷（Qg）设计确保了在高频应用中的稳定性和可靠性。
　　BDW94CFI 还具备良好的热管理能力，TO-247 封装提供了较大的散热面积，有助于快速将热量传导至散热片或外部环境中，确保器件在高负载下依然保持较低的工作温度。
　　该器件还具有较强的抗雪崩能力，能够在过电压或瞬态电压条件下提供一定的保护，增强系统的可靠性。

应用

BDW94CFI 主要应用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及汽车电子系统等高功率领域。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能电源管理系统的理想选择。
　　在电源供应器中，BDW94CFI 常用于同步整流电路或主开关电路，提升转换效率，减少热量产生。在电机控制应用中，它可用于 H 桥结构，实现电机的正反转控制及制动功能。
　　此外，BDW94CFI 还广泛应用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动工具等高功率便携设备中。