时间：2025/12/28 22:48:14
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BDT61C-S 是一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，由两个NPN晶体管组成，通常用于通用开关和放大电路。这款器件采用SMD（表面贴装）封装，适合高密度PCB布局和自动化装配。该晶体管阵列具有良好的温度稳定性和可靠性，适用于消费电子、工业控制以及通信设备等应用领域。
晶体管类型：NPN双晶体管
集电极-发射极电压（Vceo）：100V
集电极-基极电压（Vcbo）：100V
发射极-基极电压（Vebo）：5V
最大集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-363
BDT61C-S 是一款高性能的双晶体管阵列器件，其内部包含两个完全相同的NPN晶体管，能够实现独立的放大或开关功能。这种双晶体管设计有助于减少PCB板上的元件数量，提高电路的集成度和可靠性。
该器件的集电极-发射极电压（Vceo）为100V，具备较高的电压耐受能力，适用于中等功率的开关和放大应用。最大集电极电流为100mA，使其适合用于低功率信号处理电路。
BDT61C-S 的封装为SOT-363，是一种非常小型的表面贴装封装，适用于高密度PCB设计和自动化生产流程。这种封装形式有助于提高生产效率，并减少空间占用。
此外，该器件具有良好的温度稳定性，在-55°C至+150°C的工作温度范围内保持稳定性能，适用于各种环境条件下的应用，包括工业控制、通信设备和消费类电子产品。
由于其双晶体管结构，BDT61C-S 可以用于构建差分放大器、逻辑门电路、缓冲器以及其他需要多个晶体管的电路设计。
BDT61C-S 适用于多种电子电路设计，包括信号放大、数字开关、逻辑控制、缓冲电路和接口电路等。该器件广泛应用于消费电子产品、工业控制系统、通信设备、传感器模块以及各种嵌入式系统中。
BDT61C, BDT61C-TR, BDT61C-7
