时间：2025/5/28 16:06:15
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BDFN3C051L 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用超小型 DFN3030-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能的开关电源、DC/DC 转换器以及负载开关等应用。
BDNF3C051L 的额定电压为 30V，能够承受较高的瞬态电压，并且具备极低的导通电阻，从而减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。其优化的封装设计有助于实现更高的功率密度，同时简化了 PCB 布局。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：4nC
开关频率：高达 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BDFN3C051L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保在高电流应用中降低功耗。
2. 高开关速度，适合高频开关应用，如 DC/DC 转换器。
3. 超小型 DFN3030-8 封装，节省 PCB 空间并支持更高的功率密度。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下稳定运行。
BDNF3C051L 主要应用于以下领域：
1. 移动设备中的 DC/DC 转换器。
2. 消费类电子产品的负载开关。
3. 便携式设备的电池管理。
4. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
5. 电机驱动控制。
6. 高效能的小型化电源解决方案。
BSC010N06NS3
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