BDFN2C051U是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。BDNF2C051U通常用于需要高效功率转换的应用场景,例如电源适配器、笔记本电脑电源、DC-DC转换器以及负载开关等。其封装形式为SOT-23,体积小巧且易于集成到各种电子设计中。
由于其低导通电阻特性,这款MOSFET能够显著降低功率损耗,从而提高整体系统的效率。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:4.8A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:3nC
总电容:190pF
功耗:0.72W(Ta=25℃)
工作温度范围:-55℃至+150℃
BDFN2C051U具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,非常适合高频应用场合。
3. 小巧的SOT-23封装,便于在空间受限的设计中使用。
4. 出色的热稳定性,能够在宽泛的工作温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
6. 提供了较强的浪涌电流承受能力,增强了产品的可靠性。
BDFN2C051U适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 笔记本电脑及平板电脑的电源管理。
4. 各类消费电子产品中的负载开关。
5. LED驱动电路中的电流控制元件。
6. 工业设备中的信号切换与保护电路。
AO3400A
IRLML6401
FDMC6502