BDFN2C051L 时间：2025/5/24 18:07:26 阅读：12

BDFN2C051L 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，主要用于低电压、高效率的开关应用。它采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间实现了良好的平衡。该器件适合于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换器以及负载开关等应用场景。

参数

型号：BDFN2C051L
　　类型：N沟道MOSFET
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.2V ~ 3V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值@ Vgs=4.5V）：5.5mΩ
　　最大漏源电压Vds：30V
　　最大连续漏电流Id：78A
　　总功耗Ptot：1.6W
　　封装形式：TO-252(DPAK)
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

BDFN2C051L 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），使其在功率传输路径中产生的损耗显著降低，从而提升系统效率。
　　其逻辑电平驱动能力允许使用较低的栅极驱动电压（如 3.3V 或 5V），简化了与微控制器或数字电路的接口设计。
　　此外，该器件具有快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，并且具备较高的雪崩耐量，增强了其在异常情况下的可靠性。
　　由于采用了 TO-252 封装，该器件具有良好的散热性能，适用于需要较高电流密度的应用场景。
　　BDFN2C051L 还具有出色的 ESD 保护性能，提高了其在实际环境中的抗干扰能力。

应用

BDFN2C051L 广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
　　在消费电子方面，它常用于智能手机和平板电脑的充电管理模块、USB Type-C PD 控制器、电池保护电路等。
　　在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、电源适配器、LED 驱动器和负载开关。
　　此外，BDFN2C051L 也适用于汽车电子中的 DC-DC 转换器、车身控制模块和电动助力转向系统（EPS）。