时间：2025/5/24 18:06:38
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BDFN2A361V40是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高效率功率转换和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。
BDFN2A361V40属于增强型N沟道MOSFET，其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）。该器件的工作电压范围宽广，能够满足多种工业和消费电子应用的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
导通电阻：4.0mΩ（典型值）
栅极电荷：70nC（典型值）
输入电容：1200pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
功耗：29W（在TC=25℃时）
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
6. 表面贴装封装，简化了电路板设计与生产流程。
BDFN2A361V40广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
3. 电机驱动和控制
4. 汽车电子系统
5. 工业自动化设备
6. 家用电器中的功率管理模块
7. 光伏逆变器及其他可再生能源相关产品
IRFZ44N
STP36NF06
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