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BDFN2010A2R84L13 发布时间 时间:2025/6/9 13:23:24 查看 阅读:8

BDFN2010A2R84L13 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,采用小型化的 DFN 封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及各类需要高开关频率和低导通损耗的应用场景。其设计旨在提高系统效率并减少整体尺寸与重量,适合消费电子、工业设备及通信基础设施中的高性能电源管理需求。
  该型号是 BDFN 系列中的一员,具有极低的导通电阻和快速开关特性,同时具备良好的热性能和电气稳定性,可显著提升电路的整体性能。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±6V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻(典型值):28mΩ
  栅极电荷(典型值):7nC
  开关频率:最高可达 5MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DFN-8(2mm x 2mm)

特性

BDNF2010A2R84L13 的核心优势在于其采用了先进的 GaN 工艺,从而实现了以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提高效率。
  2. 高速开关能力,支持 MHz 级别的工作频率,使得磁性元件更小,系统更加紧凑。
  3. 内置优化的 ESD 保护功能,增强器件的鲁棒性。
  4. 小型化封装设计,在有限空间内实现更高的功率密度。
  5. 出色的热性能,能够有效管理芯片在高负载下的温升问题。
  6. 具备优秀的电气稳定性,能够在极端条件下保持可靠运行。

应用

该器件适用于多种高频、高效能的电力转换应用场景,包括但不限于:
  1. 消费类快充适配器和 USB-PD 充电器。
  2. 高效 DC-DC 转换器模块。
  3. 无线充电发射端与接收端电路。
  4. LED 驱动电源。
  5. 工业级开关电源 (SMPS)。
  6. 通信基站中的电源管理系统。
  由于其高频特性和高效率表现,BDFN2010A2R84L13 在追求小型化和高性能的设计中尤为适用。

替代型号

BDFN2010A2R80L13, BDFN2010A2R90L13

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