时间：2025/6/9 13:23:24
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BDFN2010A2R84L13 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，采用小型化的 DFN 封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及各类需要高开关频率和低导通损耗的应用场景。其设计旨在提高系统效率并减少整体尺寸与重量，适合消费电子、工业设备及通信基础设施中的高性能电源管理需求。
该型号是 BDFN 系列中的一员，具有极低的导通电阻和快速开关特性，同时具备良好的热性能和电气稳定性，可显著提升电路的整体性能。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±6V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：28mΩ
栅极电荷（典型值）：7nC
开关频率：最高可达 5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN-8（2mm x 2mm）
BDNF2010A2R84L13 的核心优势在于其采用了先进的 GaN 工艺，从而实现了以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的工作频率，使得磁性元件更小，系统更加紧凑。
3. 内置优化的 ESD 保护功能，增强器件的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，在有限空间内实现更高的功率密度。
5. 出色的热性能，能够有效管理芯片在高负载下的温升问题。
6. 具备优秀的电气稳定性，能够在极端条件下保持可靠运行。
该器件适用于多种高频、高效能的电力转换应用场景，包括但不限于：
1. 消费类快充适配器和 USB-PD 充电器。
2. 高效 DC-DC 转换器模块。
3. 无线充电发射端与接收端电路。
4. LED 驱动电源。
5. 工业级开关电源 (SMPS)。
6. 通信基站中的电源管理系统。
由于其高频特性和高效率表现，BDFN2010A2R84L13 在追求小型化和高性能的设计中尤为适用。
BDFN2010A2R80L13, BDFN2010A2R90L13
