时间：2025/6/17 13:44:46
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BDFN1C051S 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，该芯片采用小型化的封装技术设计，具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能等特性。这款器件非常适合应用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效功率转换的场景中。
BDFN1C051S 的设计目标是满足现代电子系统对更低功耗和更小尺寸的需求，其优化的电气特性和紧凑的封装使其成为众多功率管理应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：6mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=4.5V）：7.5mΩ
总功耗：1.09W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：USP-6B
BDFN1C051S 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效功率传输，并降低了发热。
2. 小型 USP-6B 封装，节省了 PCB 空间，特别适合于紧凑型设计。
3. 快速开关能力，适用于高频操作环境，减少开关损耗。
4. 高度稳定的工作性能，在较宽的温度范围内保持一致性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
BDFN1C051S 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC/DC 转换器，包括降压和升压拓扑结构。
3. 电池保护电路，如锂离子电池组。
4. 电机驱动器和负载切换。
5. 各种便携式设备中的功率管理模块，例如智能手机、平板电脑和其他移动终端设备。
BDFN1C061S
IRLZ44N
AON7542G
