时间：2025/11/8 10:28:05
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BD9535MUV-E2 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的一款高效、同步降压型DC-DC转换器，专为需要高效率和低功耗运行的便携式设备及工业应用设计。该芯片采用电流模式控制架构，能够提供稳定的输出电压，并具备快速的瞬态响应能力。其内置了高侧和低侧功率MOSFET，支持宽输入电压范围，适用于多种电源系统中的电压调节任务。BD9535MUV-E2 采用紧凑的HTSOP-B28封装，有助于减小整体PCB尺寸，适合空间受限的应用场景。此外，该器件符合RoHS标准，属于环保型元器件，广泛应用于消费电子、通信设备、嵌入式系统等领域。
该芯片通过外部电阻分压网络设定输出电压，支持可调输出模式，输出电压最低可达0.8V，满足现代低压数字电路的供电需求。其工作频率可在200kHz至1MHz范围内通过外部电阻编程设置，便于在效率与外围元件尺寸之间进行优化权衡。BD9535MUV-E2 还集成了多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）以及输出过压保护（OVP），确保系统在异常条件下仍能安全运行。
类型：同步降压DC-DC控制器
输入电压范围：4.5V 至 24V
输出电压范围：0.8V 至 12V（可调）
最大输出电流：3A
开关频率：200kHz 至 1MHz（可调）
控制方式：电流模式PWM控制
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：HTSOP-B28
静态电流：约 1.2mA
关断电流：小于 1μA
反馈参考电压：0.8V ±1%
占空比范围：0% 至 100%
保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定、过压保护
BD9535MUV-E2 具备优异的动态响应性能和高转换效率，这得益于其采用的电流模式控制架构。该控制方式不仅提升了对负载变化的响应速度，还简化了环路补偿设计，使得系统稳定性更容易实现。芯片内部集成了低导通电阻的上下桥臂MOSFET，显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效，尤其在中高负载条件下表现突出。此外，其支持高达24V的输入电压，使其能够兼容12V和24V工业电源总线系统，扩展了应用场景的适用性。
该器件提供了灵活的频率调节能力，用户可通过外接电阻精确设定开关频率，从而在电磁干扰（EMI）抑制、电感选型和效率之间取得最佳平衡。例如，在噪声敏感的应用中可以选择较低频率以减少高频辐射；而在追求小型化的系统中则可选择较高频率以使用更小体积的电感和电容。芯片还支持强制PWM模式或节能模式（PFM/PWM自动切换），可根据负载情况智能调整工作模式，进一步提升轻载时的效率。
BD9535MUV-E2 集成了全面的保护机制，增强了系统的可靠性。过流保护通过检测电感电流实现，当超过设定阈值时会触发打嗝模式（hiccup mode），防止持续大电流损坏器件。过温保护会在结温过高时自动关闭输出，并在温度下降后尝试重启。欠压锁定功能确保在输入电压未达到稳定工作范围前不启动，避免误操作。所有这些特性共同保障了电源系统的长期稳定运行。
BD9535MUV-E2 广泛应用于需要高效、可靠直流电源转换的场合。典型应用包括工业自动化控制系统、PLC模块、嵌入式处理器供电（如FPGA、DSP、MCU等）、网络通信设备（路由器、交换机）、测试与测量仪器、医疗电子设备以及车载信息娱乐系统。由于其宽输入电压范围和高输出电流能力，特别适合用于将12V或24V中间母线电压降压为系统所需的5V、3.3V、1.8V等核心电压轨。同时，其紧凑的封装和高集成度也使其成为空间受限便携式设备的理想选择，例如手持终端、移动数据采集器和智能传感器节点。此外，该芯片也可用于LED驱动电源、电池充电管理系统中的预稳压级，以及其他需要高效率降压转换的分布式电源架构中。
BD9535MUV
