时间：2025/12/25 13:39:23
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BD8964FVM-TR是一款由罗姆（ROHM）公司生产的电源管理芯片，主要用于负载开关应用。该器件集成了P沟道MOSFET，适用于需要高效、小型化和低功耗电源控制的便携式电子设备。BD8964FVM-TR具备软启动功能，能够有效抑制上电过程中因输出电容充电而产生的浪涌电流，从而保护系统电源稳定性和延长电池寿命。该芯片采用小型DFN2530封装（2.5mm x 3.0mm），适合高密度PCB布局设计，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间和功耗敏感的电子产品中。其工作电压范围宽，支持1.7V至5.5V输入电压，能够兼容多种低压逻辑系统，并通过外部使能信号（ON/OFF控制）实现对输出电源的精确开关控制。此外，该器件具有低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高整体能效。
型号：BD8964FVM-TR
制造商：ROHM
封装类型：DFN2530
引脚数：6
输入电压范围：1.7V 至 5.5V
输出电流最大值：2A
导通电阻（Rds(on)）：约 35mΩ（典型值，Vgs = -5V）
静态电流：约 1μA（关断模式）
待机电流：低于 1μA
软启动时间：约 1.5ms（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
关断电流：< 1μA
控制接口：高电平有效使能（EN）
固定输出延迟时间：约 50ms（内置去抖动电路）
保护功能：过流保护、过温保护
安装方式：表面贴装（SMD）
BD8964FVM-TR具备多项先进特性，使其在负载开关应用中表现出色。
首先，它集成了一个低导通电阻的P沟道MOSFET，Rds(on)典型值仅为35mΩ，在2A负载下压降极小，显著降低了功率损耗，提高了系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，可以延长续航时间。同时，低Rds(on)也减少了热积累，提升了系统的长期可靠性。
其次，该芯片内置了软启动功能，通过控制栅极充电电流来实现输出电压的缓慢上升，软启动时间约为1.5ms。这一机制有效抑制了上电瞬间因输出电容快速充电而引起的浪涌电流，避免了输入电源电压的跌落，防止系统复位或通信中断等问题，增强了整个电源系统的稳定性。
再者，BD8964FVM-TR具有使能控制（EN引脚），支持高电平有效逻辑输入，便于与数字控制器（如MCU或PMIC）直接连接，实现灵活的电源管理策略。当EN为低电平时，器件进入关断模式，此时电源电流极低（小于1μA），几乎不消耗电池能量，非常适合需要长时间待机的应用场景。
此外，该器件还集成了多种保护机制。包括过电流保护（OCP），在输出短路或过载时自动限制电流；以及过温保护（OTP），当芯片结温超过安全阈值时会自动关闭输出，待温度下降后恢复工作，确保器件在异常条件下不会损坏。
最后，其采用的DFN2530小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合内部热设计，可在高负载下稳定运行。内置50ms的固定开启延迟，可用于按键去抖或电源时序控制，简化外部电路设计。
BD8964FVM-TR广泛应用于各类需要精密电源开关控制的便携式电子设备中。
在智能手机和平板电脑中，常用于摄像头模块、显示屏背光、Wi-Fi/蓝牙模组等外设的独立供电控制，实现按需上电以节约能耗。其低静态电流和快速响应能力非常适合这类间歇性工作的子系统。
在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中，该芯片用于管理传感器、无线通信单元或显示屏的电源，帮助优化电池使用效率，延长待机时间。
此外，在工业手持终端、POS机、便携式医疗仪器等领域，BD8964FVM-TR可用于电源热插拔控制或防止冷启动冲击，提升系统鲁棒性。
由于其宽输入电压范围（1.7V~5.5V），该器件也能兼容单节锂电池、USB供电等多种电源环境，适用于由3.3V或5V系统总线供电的负载切换场景。
在嵌入式系统中，它可以作为MCU对外设电源的控制开关，配合软件实现动态电源管理（DPM），关闭非必要模块以进入低功耗模式。
总之，任何需要低功耗、小尺寸、高可靠性的电源开关解决方案，BD8964FVM-TR都是一个理想选择，尤其适合对空间和能效有严苛要求的现代消费类电子产品。
TPS22919DBVR
AP22916GM-E3-13
FDC6330L
MAX16162ETA+T
