型号：BD733L2FP3-CE2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　封装/外壳：SOP-8
　　通道数：Dual Channel
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：6.9A
　　连续漏极电流（ID）@70°C：4.6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：23mΩ（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：33mΩ（最大值）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.3V
　　栅极电荷（Qg）@10V：13nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）@1MHz：720pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管或快速恢复型
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装

BD733L2FP3-CE2采用了ROHM专有的高性能沟槽MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。该器件在VGS=10V时，最大RDS(on)仅为23mΩ，在同类SOP-8封装双N沟道MOSFET中表现出优异的低阻特性，适用于大电流开关场合。同时，其在VGS=4.5V下的RDS(on)为33mΩ，表明其在低压驱动条件下仍具备良好的导通能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，广泛适用于现代低电压供电系统中的开关控制。该器件的栅极电荷Qg仅为13nC（典型值），意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的设计复杂度并减少动态功耗。此外，低输入电容Ciss（720pF）进一步增强了高频开关能力，使其适用于高达数百kHz甚至更高频率的DC-DC转换拓扑结构。
　　BD733L2FP3-CE2集成了两个独立的N沟道MOSFET，构成双通道配置，允许在同一封装内实现同步整流、半桥驱动或多路负载控制等功能，节省PCB布局空间并简化电路设计。每个通道均可独立操作，具备良好的匹配性与一致性，确保在并联或差分使用时性能均衡。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端环境下的可靠运行，适用于工业控制、汽车电子外围模块及高温工作场景。SOP-8封装不仅便于自动化贴片生产，还具备一定的散热能力，可通过PCB铜箔进行有效热传导，避免额外增加散热器成本。此外，该MOSFET具备优良的抗雪崩能力和稳健的ESD防护性能，提高了在瞬态过压和静电放电情况下的耐用性。综合来看，BD733L2FP3-CE2是一款兼具高性能、小型化与高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于便携式电源、笔记本电脑适配器、LED驱动电源及智能电池管理系统等领域。

BD733L2FP3-CE2广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，尤其适合需要高效开关和紧凑布局的场景。典型应用包括同步降压型DC-DC转换器中的上下管配置，其中两个N沟道MOSFET分别作为主开关和同步整流器，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率并减少发热。在电池供电设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，该器件可用作负载开关或电源路径管理单元，实现电池充放电控制与系统上电时序管理。此外，它也常用于电机驱动电路中，作为H桥结构的一部分，驱动小型直流电机或步进电机，广泛见于打印机、扫描仪和家用电器等消费类电子产品。在工业控制系统中，BD733L2FP3-CE2可用于继电器替代方案或固态开关，提供无触点、长寿命的电力切换功能。其SOP-8封装形式也使其成为LED背光驱动电源、USB电源开关及热插拔控制器的理想选择。由于其良好的热稳定性和电气性能，该器件同样适用于通信设备、网络路由器和智能家居控制板中的局部电源管理模块。总之，凡是在需要高效率、小尺寸和高集成度的N沟道MOSFET应用场景下，BD733L2FP3-CE2都是一种极具竞争力的选择。

Si3456EDV-T1-GE3
　　FDS6680A
　　AO3407A
　　DMG2307UW-7