BD690CS 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率控制应用。该器件采用 TO-220 封装,具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场合。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:900V
栅源电压 Vgs:±30V
连续漏极电流 Id:9A
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
BD690CS 采用了 ROHM 先进的沟槽栅结构技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。其高耐压特性(900V)使其非常适合用于高电压应用场景,如工业电源和照明系统。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定运行,适用于对可靠性要求较高的场合。
该 MOSFET 的 TO-220 封装便于散热和安装,适用于多种 PCB 设计。其栅极驱动电压范围较宽,通常在 10V 至 20V 之间即可实现完全导通,适用于多种驱动电路设计。此外,BD690CS 还具备良好的短路耐受能力和抗过载能力,增强了系统的稳定性和安全性。
由于其高可靠性和优良的电气性能,BD690CS 广泛应用于各类高电压功率转换系统中,如 AC-DC 电源适配器、工业自动化设备、照明控制电路等。其设计允许在高频率下操作,适用于需要高效能和高稳定性的现代电力电子系统。
BD690CS 适用于多种功率控制和电源管理场景,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、照明控制系统、工业自动化设备以及高电压直流电源管理。其高耐压和大电流特性使其成为工业和消费类电子设备中的理想选择。
IRF840, FQP9N90C, STP9NK90Z