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BD681 发布时间 时间:2022/11/25 10:18:06 查看 阅读:1565

    制造商: ON Semiconductor

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: TO-225-3

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

    


目录

概述

    制造商: ON Semiconductor

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: TO-225-3

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

    发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

    集电极—基极电压 VCBO: 100 V

    峰值直流集电极电流: 4 A

    最大集电极截止电流: 200 uA

    功率耗散: 40 W

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    封装: Bulk

    集电极连续电流: 4 A

    直流电流增益 hFE 最小值: 750 @ 1.5 A @ 3 V


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BD681参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)2.5V @ 30mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)750 @ 1.5A,3V
  • 功率 - 最大40W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装TO225AA
  • 包装散装
  • 其它名称BD681OS