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BD675 发布时间 时间:2025/6/3 20:59:13 查看 阅读:7

BD675是一款由ROHM公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率控制的场景。BD675以其低导通电阻和高电流承载能力著称,适用于多种工业及消费类电子产品中的功率管理模块。
  BD675的设计能够有效降低功率损耗,并提供稳定的性能表现。其出色的热稳定性使其在高负载条件下依然保持良好的工作状态。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大连续漏极电流:13A
  最大脉冲漏极电流:45A
  导通电阻(典型值):0.05Ω
  总功耗:125W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

BD675具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输,减少了能量损耗。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用场合。
  3. 快速开关速度降低了开关损耗,提高了整体效率。
  4. 具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 内置反向恢复二极管,进一步提升了系统效率并简化设计过程。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

BD675的应用领域非常广泛,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 各种电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 负载开关以及保护电路中的关键组件。
  5. 工业设备中的功率调节模块。
  6. 消费类电子产品的电池充电管理部分。

替代型号

IRF540N
  STP17NF06
  FDP18N06L

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BD675参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)2.5V @ 30mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)750 @ 1.5A,3V
  • 功率 - 最大40W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装TO225AA
  • 包装散装