时间：2025/4/29 11:50:26
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BD5225G-TR是由ROHM公司生产的一款低饱和压降的NPN双极型晶体管（Bipolar Transistor）。该晶体管主要应用于各种开关和线性应用中，特别是在需要低功耗和高效率的场景下。其特点在于能够提供较低的饱和电压，从而减少功率损耗并提升整体性能。
BD5225G-TR适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域，能够满足对小型化、高性能的需求。
集电极-发射极饱和电压：0.18V（典型值，IC=0.15A，IB=1.5mA）
最大集电极电流：0.2A
最大集电极-发射极电压：30V
最大基极-发射极电压：5V
最大功耗：450mW
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：SOT-23
BD5225G-TR具有以下主要特性：
1. 非常低的饱和电压，有助于降低系统功耗。
2. 高增益特性，确保在不同工作条件下的稳定性能。
3. 小型SOT-23封装，适合空间受限的设计。
4. 工作温度范围宽广，可适应多种环境需求。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 优异的热稳定性和可靠性，能够在长时间运行中保持性能。
BD5225G-TR广泛应用于以下领域：
1. 开关电路中的负载切换。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 各类传感器接口驱动。
4. LED驱动及背光控制。
5. 消费类电子产品中的信号放大和处理。
6. 汽车电子中的辅助控制模块。
BD5226G-TR, BD5227G-TR
