工作电压范围：2.0V ~ 6.0V
　　检测电压精度：±1.5%（典型值）
　　复位输出类型：N沟道开漏输出
　　复位延迟时间：典型值为240ms（内部集成延迟电容）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOT-26
　　静态电流：典型值为3.0μA
　　检测电压值：2.5V（固定）
　　输出耐压：最大7V
　　电源反接保护：无（需外部防护）
　　引脚数量：6
　　安装方式：表面贴装

BD5225FVE-TR的核心特性之一是其高精度的电压检测能力，检测阈值设定为2.5V，精度可达±1.5%，这使得它在宽温度和电压范围内都能保持稳定的性能表现，避免因环境变化导致误触发或漏检。这种高精度来源于内部集成的基准电压源和精密比较器电路，能够有效抵抗噪声干扰，提升系统的抗干扰能力。
　　另一个关键特性是其内置的复位延迟功能。芯片内部集成了充电电容，无需外接延迟电阻或电容即可实现约240ms的复位脉冲保持时间。这一设计不仅节省了外围元件，还提升了系统的一致性与可靠性，特别适合对空间和成本敏感的应用场景。
　　该器件采用N沟道开漏输出结构，允许用户通过外部上拉电阻连接到任意逻辑电平，兼容3.3V、5V甚至1.8V等不同供电系统的微处理器，增强了接口灵活性。同时，开漏输出方式也支持多个复位信号线“线与”连接，便于构建多路监控系统。
　　BD5225FVE-TR具有极低的静态电流消耗，典型值仅为3.0μA，非常适合电池供电或待机功耗要求严格的便携式设备。即使在长时间运行状态下，也不会显著增加系统能耗。
　　其工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，满足工业级和部分汽车级应用需求，可在恶劣环境下稳定工作。SOT-26小型封装进一步提升了其在紧凑型电子产品中的适用性，如智能仪表、传感器模块、IoT终端等。
　　此外，该芯片具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力和快速响应速度，在电源跌落或浪涌发生时能迅速产生复位信号，防止MCU进入不可控状态，从而保障系统安全。整体设计兼顾性能、可靠性与易用性，是一款成熟且广泛应用的电压监控解决方案。

BD5225FVE-TR常用于各类需要电源监控和系统复位管理的电子设备中。在工业控制系统中，它被广泛部署于PLC模块、远程I/O单元和电机驱动器中，用于监测主控MCU的供电状态，确保设备在电压异常时及时复位，防止程序跑飞或数据丢失。在消费类电子产品中，如智能家居网关、无线路由器、机顶盒和白色家电控制器，该芯片可有效应对电源启动不稳定或电网波动问题，提升用户体验和产品可靠性。
　　在汽车电子领域，尽管未通过AEC-Q100认证，但BD5225FVE-TR仍可用于部分非核心车载模块，如车载信息娱乐系统的辅助电源监控、车内照明控制单元或传感器节点，帮助实现故障自恢复机制。
　　通信设备如光模块、基站辅助电路和网络交换机也常采用此类复位IC，以保证数字信号处理单元在复杂电磁环境中稳定运行。此外，在便携式医疗设备、手持仪器和物联网终端中，得益于其超低功耗特性，BD5225FVE-TR成为理想的电压监控选择，可在电池电量不足时提前预警并触发系统休眠或安全关机。
　　由于其无需外部调节元件、集成度高、响应可靠，工程师在进行嵌入式系统开发时常常将其作为标准复位方案使用，尤其适用于基于ARM Cortex-M、PIC、AVR等架构的微控制器系统。无论是在高温工业现场还是低温户外环境，BD5225FVE-TR均能提供一致的性能表现，是现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

BD5226FVE-TR
　　BD5227FVE-TR
　　MAX811EUS-T
　　TL331BQDBVRQ1
　　XC6152A25MR-G