型号：BD5223FVE-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOT-26 (SC-74A)
　　引脚数：6
　　工作电压范围：1.0V ~ 6.0V
　　复位阈值电压：2.3V（固定）
　　阈值精度：±1.5%
　　输出类型：N沟道开漏输出（N-channel Open Drain）
　　复位延迟时间：典型值140ms
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　静态电流：典型值0.4μA
　　输出驱动能力：最大可吸入电流 20mA
　　安装方式：表面贴装
　　产品系列：BD52xxFVE

BD5223FVE-TR的核心特性之一是其高精度的电压检测能力。该器件内置一个高稳定性带隙基准源，确保在宽温度范围和输入电压范围内都能实现±1.5%的阈值精度。这一精度远高于许多通用电压检测器，使得系统可以在更严格的电压条件下进行可靠的复位控制，避免因误判导致的系统异常重启或无法启动。例如，在使用2.3V作为复位阈值时，实际触发点将在2.2655V至2.3345V之间，这种精确性对于低电压工作的MCU尤为重要。
　　另一个关键特性是其极低的静态电流消耗，典型值仅为0.4μA。这一特性使BD5223FVE-TR特别适用于由电池供电的长期运行设备，如智能传感器节点、无线抄表系统、可穿戴设备和IoT终端等。在这些应用场景中，系统的待机功耗直接决定了电池寿命，因此选用超低功耗的监控IC至关重要。即使在系统主电源关闭或处于休眠状态时，BD5223FVE-TR仍能持续监测电源电压而不显著增加整体能耗。
　　该器件采用N沟道开漏输出结构，允许用户通过外部上拉电阻连接到任意逻辑电平（只要不超过其最大额定电压），从而实现与不同电压域的微控制器兼容。这种灵活性使得它可以在混合电压系统中使用，例如3.3V MCU与5V外围电路共存的场合。同时，开漏输出支持多器件“线与”连接，便于构建复杂的复位逻辑网络。
　　BD5223FVE-TR还具备长达140ms的典型复位延迟时间，确保在电源建立完成后，MCU有足够的稳定时间再解除复位状态。这个延迟时间由内部电路自动控制，无需外接电容，简化了设计并提高了可靠性。此外，器件具有良好的温度稳定性，在-40°C到+85°C的工作温度范围内性能一致，适用于工业级环境。

BD5223FVE-TR主要用于需要高可靠性电源监控的各种电子系统中。在微控制器单元（MCU）应用中，它是实现上电复位（POR）功能的关键组件。当系统加电时，电源电压从零开始上升，若MCU在此期间开始执行指令而电压尚未稳定，可能导致程序跑飞或寄存器配置错误。BD5223FVE-TR会持续监测电源电压，并在电压达到2.3V之前保持复位信号有效，直到电压稳定超过阈值并维持足够时间后才释放复位，从而保证MCU从一个确定的状态开始运行。
　　在电池供电设备中，该芯片可用于低电量检测和保护。例如，在锂电池供电的便携式仪器中，当电池电压下降至接近截止电压时，BD5223FVE-TR可以触发复位信号通知系统即将断电，以便完成数据保存或进入安全关机流程。这有助于防止因突然掉电造成的数据丢失或存储器损坏。
　　在工业自动化和控制系统中，电源质量可能受到电网波动、电机启停等因素影响，容易出现“褐入”（brown-in）或“褐出”（brown-out）现象。BD5223FVE-TR能够及时检测到这类异常并发出复位信号，防止PLC或控制器在低电压下产生不可预测的行为。
　　此外，该器件也常用于通信模块、智能家居设备、医疗电子设备以及汽车电子中的辅助系统中，提供稳定的电源监控功能。由于其小尺寸封装和高集成度，非常适合PCB空间紧张的设计。无论是在高温工厂环境还是低温户外部署，BD5223FVE-TR均能提供一致的性能表现，保障系统的长期稳定运行。

BD5223FVE