时间：2025/8/14 22:32:19
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BD5200YT是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，作为开关元件使用。该MOSFET具有低导通电阻和高耐压能力，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
晶体管类型：N沟道功率MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏-源电压：200V
最大栅-源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
功率耗散：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
BD5200YT的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少在高电流条件下的功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，能够承受较大的电压应力，适用于高压应用。其TO-220AB封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性。
这款MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。其设计确保了在高温环境下依然能够保持稳定的性能，从而延长了器件的使用寿命。
BD5200YT常用于电源管理电路，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用。它也适用于工业自动化设备、电源适配器以及各种高功率电子设备中，作为关键的开关元件。由于其优良的电气特性和可靠性，这款MOSFET在汽车电子系统、太阳能逆变器以及其他需要高效能功率管理的领域中也得到了广泛应用。
IRF540N, FQP20N20, STP20NK20Z
