时间：2025/12/25 13:51:47
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BD50HA3MEFJ-ME2是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的低压差线性稳压器（LDO Regulator），专为需要高精度、低功耗和高可靠性的应用而设计。该器件属于ROHM的“Nano Cap”系列，采用其专有的CMOS工艺制造，能够在极低的静态电流下实现优异的负载和线路调节性能。这款LDO具有3.0V的固定输出电压，最大输出电流可达500mA，适用于对电源噪声敏感的便携式设备和电池供电系统。
BD50HA3MEFJ-ME2的一大亮点是其在无外部电容器的情况下仍能保持稳定工作的能力，这得益于其内部补偿设计。它仅需一个小型陶瓷电容（典型值为1.0μF）即可确保稳定性，从而大幅减小整体解决方案的尺寸并降低成本。此外，该芯片具备超低的接地电流（Ground Current），在轻载时依然保持高效率，延长了电池使用寿命。
该器件采用DFN2020-6（HTSOP-J8等效）的小型封装，非常适合空间受限的应用场景，如可穿戴设备、物联网节点、传感器模块和移动外围设备。同时，它集成了多种保护功能，包括过温保护（Thermal Shutdown）和过流保护（Current Limit），以增强系统的鲁棒性。
产品型号：BD50HA3MEFJ-ME2
类型：LDO线性稳压器
输出类型：固定输出
输出电压：3.0V
输出电流：500mA
输入电压范围：2.5V ~ 5.5V
静态电流：4.0μA（典型值）
接地电流：35μA（Io = 500mA，典型值）
压差电压：180mV（Io = 500mA，典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
封装形式：DFN2020-6（2.0mm x 2.0mm）
调节率（线路/负载）：±0.05% / ±0.1%
输出电压精度：±1.0%
PSRR（1kHz）：70dB（典型值）
电容要求：支持1.0μF陶瓷电容稳定工作
BD50HA3MEFJ-ME2具备多项先进的技术特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其超低静态电流（仅4.0μA）显著提升了在待机或休眠模式下的能效表现，特别适合长期运行的低功耗系统，例如使用纽扣电池或能量采集供电的IoT终端设备。这种极低的静态功耗意味着即使在长时间空闲状态下，电源损耗也几乎可以忽略不计，从而最大化电池寿命。
其次，该LDO采用了ROHM独有的“Nano Cap”技术，实现了仅需1.0μF输出电容即可稳定工作的能力。传统LDO通常需要较大的输出电容（如4.7μF或更大）以及特定的等效串联电阻（ESR）才能避免振荡，而BD50HA3MEFJ-ME2通过内部频率补偿电路消除了对外部大电容的依赖，不仅节省PCB面积，还降低了物料成本，并提高了设计灵活性。这一特性对于追求微型化和高集成度的设计至关重要。
再者，其出色的电源抑制比（PSRR）达到70dB @ 1kHz，能够有效滤除来自上游电源（如开关电源或嘈杂的电池总线）的纹波和噪声，为精密模拟电路（如ADC、传感器信号链、RF模块）提供干净的供电轨。这对于音频设备、医疗传感器和无线通信模块尤为重要。
此外，该器件具有良好的负载瞬态响应能力，在负载电流快速变化时仍能维持稳定的输出电压，防止系统出现复位或数据错误。内置的过温保护和电流限制功能可在异常工况下自动降低输出或关闭芯片，防止永久性损坏，提升整体系统可靠性。最后，DFN2020-6封装具有优良的散热性能，尽管体积微小，但仍可通过PCB焊盘有效导热，确保在高负载条件下安全运行。
BD50HA3MEFJ-ME2广泛应用于对尺寸、功耗和电源质量有严苛要求的电子系统中。典型应用场景包括可穿戴设备（如智能手表、健康监测手环），其中有限的空间和电池容量要求电源管理方案必须高效且紧凑。其低静态电流和小电容需求使其成为这类产品的理想选择。
在物联网（IoT）领域，该LDO常用于各类无线传感器节点（如基于LoRa、BLE、Zigbee的模块），这些设备多数时间处于深度睡眠状态，仅周期性唤醒进行数据采集与传输，因此对静态功耗极为敏感。BD50HA3MEFJ-ME2能在唤醒瞬间迅速建立稳定电压，并在工作结束后立即进入低功耗状态，完美匹配此类间歇性工作模式。
此外，它也适用于便携式医疗设备（如血糖仪、体温计）、智能家居传感器（温湿度、运动检测）、TWS耳机充电仓、NFC标签控制器以及微处理器或MCU的核心供电。在工业自动化中，可用于为高精度传感器前端供电，利用其高PSRR特性减少电源干扰对测量精度的影响。总之，任何需要高稳定性、小体积和长续航的嵌入式系统均可受益于该器件的技术优势。
BD50GA3MEFJ-ME2,BD50LA3MEFJ-ME2
