时间：2025/8/6 18:47:23
阅读：35
BD4950是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和电机驱动等领域。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性著称，适用于需要高功率密度和可靠性的电子系统。BD4950采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大40mΩ（典型值35mΩ）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
BD4950具备一系列优良的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，适用于高电流应用。该MOSFET具有高耐压能力（60V漏源电压），能够在较宽的电压范围内稳定运行。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至12V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。
此外，BD4950的封装设计具有良好的热管理能力，能够有效散热，从而提升器件在高功率工作条件下的可靠性。该器件内部结构优化，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
ROHM在制造过程中采用了高纯度硅材料和先进的封装技术，使BD4950在极端工作条件下（如高温或高湿度环境）仍能保持稳定性能。该MOSFET还具备一定的抗静电能力和过载保护能力，增强了其在工业环境中的适用性。
BD4950广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动电路、电池供电设备、工业自动化控制系统、负载开关、汽车电子系统（如车载充电器、起停系统）等。由于其高效率和高可靠性，BD4950也常用于消费类电子产品和工业设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP6675, Si4410DY
