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BD4950 发布时间 时间:2025/8/6 18:47:23 查看 阅读:36

BD4950是一款由ROHM(罗姆)公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和电机驱动等领域。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性著称,适用于需要高功率密度和可靠性的电子系统。BD4950采用TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的散热性能,适合表面贴装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):50A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大40mΩ(典型值35mΩ)
  功耗(PD):100W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

BD4950具备一系列优良的电气和热性能特性。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统的整体效率,适用于高电流应用。该MOSFET具有高耐压能力(60V漏源电压),能够在较宽的电压范围内稳定运行。栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V至12V驱动电压,兼容多种驱动电路设计。
  此外,BD4950的封装设计具有良好的热管理能力,能够有效散热,从而提升器件在高功率工作条件下的可靠性。该器件内部结构优化,减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
  ROHM在制造过程中采用了高纯度硅材料和先进的封装技术,使BD4950在极端工作条件下(如高温或高湿度环境)仍能保持稳定性能。该MOSFET还具备一定的抗静电能力和过载保护能力,增强了其在工业环境中的适用性。

应用

BD4950广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动电路、电池供电设备、工业自动化控制系统、负载开关、汽车电子系统(如车载充电器、起停系统)等。由于其高效率和高可靠性,BD4950也常用于消费类电子产品和工业设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, STP55NF06, FDP6675, Si4410DY

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