型号：BD4949G-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOT-23-5
　　引脚数：5
　　检测电压（Vdet）：4.9V（典型值）
　　检测电压精度：±2.0%
　　输出类型：开漏（Open Drain）
　　复位延迟时间：典型200ms
　　工作电源电压范围：1.0V 至 16V
　　静态电流：典型值0.8μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大输出电流：-100mA（灌电流）
　　产品系列：BD49xxG系列

BD4949G-TR的核心特性之一是其高精度的电压检测能力。该芯片内置一个高稳定性的基准电压源和精密比较器，能够在宽温度和电压范围内保持±2.0%的检测电压精度。这意味着当被监测的电源电压下降到4.9V以下时，芯片能够迅速且准确地触发复位信号，防止微控制器在电压不足的情况下运行，从而避免程序跑飞或寄存器状态异常。这种高精度特性对于工业控制、汽车电子和通信设备等对系统稳定性要求极高的应用场景至关重要。此外，该精度不受负载变化和长时间工作的影响，确保了长期使用的可靠性。
　　另一个显著特性是其超低功耗设计。BD4949G-TR的静态电流典型值仅为0.8μA，这使得它非常适合用于电池供电的便携式设备，如智能仪表、无线传感器节点、可穿戴设备和远程监控系统。在这些应用中，系统的待机功耗必须尽可能低，以延长电池寿命。由于该电压检测器在整个系统待机期间持续工作，因此其自身的功耗直接影响整体能效。BD4949G-TR的低功耗特性使其能够在不牺牲性能的前提下，显著降低系统的总能耗。
　　该器件还具备较长的复位延迟时间，典型值为200毫秒。这一延迟时间确保了即使在电源电压短暂波动或上电过程中，复位信号也能保持足够长的时间，使微控制器有充足的时间完成初始化并进入稳定工作状态。延迟时间由内部电路设定，无需外部定时电容，简化了外围设计，提高了系统的一致性和可靠性。此外，开漏输出结构提供了良好的电平兼容性，可以与不同逻辑电平的MCU配合使用，只需通过外接上拉电阻连接到目标系统的逻辑电源即可。这种设计灵活性增强了其在多电压系统中的适应能力。
　　BD4949G-TR采用SOT-23-5小型化封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品的尺寸。同时，该器件具有宽达-40°C至+125°C的工作温度范围，符合工业级和部分汽车级应用的要求，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其耐压能力强，最大输入电压可达16V，提供了良好的过压耐受能力，增强了系统鲁棒性。

BD4949G-TR广泛应用于各类需要电源监控和上电复位功能的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业HMI（人机界面）和传感器模块中，确保在电源启动或波动时微处理器能够可靠复位，避免控制系统出现异常行为。在消费类电子产品中，如智能家居设备、电动工具和白色家电，该芯片用于监控主控MCU的供电电压，提升产品的稳定性和用户体验。在汽车电子系统中，BD4949G-TR可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）的电源管理单元，提供可靠的复位信号，满足汽车级严苛的环境和可靠性要求。此外，在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，该器件用于保障数字信号处理器和FPGA在电源不稳定时的安全启动。在医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，BD4949G-TR的高精度和低功耗特性有助于提高设备的可靠性和续航能力。由于其宽电压输入范围和小型封装，也适用于各种电池供电的物联网（IoT）终端设备，例如智能电表、环境监测节点和无线传输模块。总之，任何需要在电源上电、掉电或波动时确保系统安全启动和运行的场景，都是BD4949G-TR的典型应用领域。

BD4849G-TR
　　BD4749G-TR
　　TC1240-4.9V
　　MAX811EUS-T