时间：2025/7/18 20:22:09
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BD4949是一款由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种功率控制电路。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.8A
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值）
封装形式：TO-252（DPAK）
BD4949具有低导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。
其高电流承载能力允许在紧凑设计中使用而不会导致过热问题，提高了系统的稳定性和可靠性。
采用TO-252封装，具有良好的热性能和机械强度，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
该器件还具有良好的栅极电荷特性，有助于实现快速开关动作，降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
BD4949的高可靠性使其适用于汽车电子、工业控制、消费类电子产品等多种应用场景。
BD4949常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源管理模块、LED驱动电路以及各种需要高效功率控制的电子设备中。
Si4440DY, IRFZ44N, FDP6N40
