工作电压范围：1.0V ~ 6.0V
　　复位阈值电压：2.6V（典型值）
　　阈值精度：±2.0%（在整个温度范围内）
　　静态电流：典型值为1.0μA
　　输出类型：开漏N沟道MOSFET
　　复位延迟时间：典型值为240ms
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOT-23A-5

BD4726G-TR具备高精度电压检测能力，其内置的精密电压参考源确保了在整个工作温度范围和输入电压变化条件下，复位阈值电压的稳定性。该器件的阈值精度可达±2.0%，这使得它能够在各种环境条件下提供可靠的复位信号，避免因温度漂移或电源波动引起的误触发或失效。这种高精度特性对于需要长期稳定运行的工业控制系统尤为重要。
　　该芯片具有极低的静态电流消耗，典型值仅为1.0μA，使其非常适合用于电池供电或能量受限的应用场合，如无线传感器节点、可穿戴设备和远程监控终端等。低功耗设计不仅延长了电池寿命，也减少了系统的整体热耗散，有助于提升系统能效和可靠性。
　　BD4726G-TR采用开漏输出结构，允许用户灵活配置上拉电压，从而适配不同逻辑电平的MCU或数字电路（例如1.8V、3.3V或5V系统）。这种设计增强了其在多电压混合系统中的适用性，并简化了系统级接口设计。此外，开漏输出还支持多个复位信号的“线与”连接，便于构建复杂的复位管理架构。
　　器件集成了固定的复位延迟时间，典型值为240ms，确保在电源建立完成后，MCU有足够的时间完成初始化操作。这一延迟时间由内部电路设定，无需外接定时电容，提高了系统的一致性和抗干扰能力，同时减少了外部元件数量，降低了BOM成本和PCB布局复杂度。
　　该IC的工作电压范围宽达1.0V至6.0V，使其不仅能用于标准3.3V或5V系统，也可应用于低电压运行的嵌入式系统，甚至在电池电压逐渐下降的过程中仍能有效监测并触发复位，防止MCU进入不可预测的状态。结合-40°C至+125°C的宽温工作范围，BD4726G-TR展现出优异的环境适应性，适用于严苛工业环境下的长期运行。

BD4726G-TR常用于各类需要电源监控和系统复位功能的电子设备中。在消费类电子产品中，如智能手表、蓝牙耳机、便携式医疗设备等，该芯片用于实现上电复位和低电压复位，保障主控芯片在电源不稳定时不会执行错误指令。在工业自动化领域，该器件被集成于PLC模块、传感器变送器和数据采集系统中，用以提高系统在恶劣电源环境下的鲁棒性。
　　在通信设备中，如路由器、调制解调器和IoT网关，BD4726G-TR可用于监控主电源轨是否达到安全运行水平，确保DSP或FPGA在电源就绪后再开始工作。此外，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为辅助监控单元，检测电池电压是否低于安全阈值，从而触发保护机制或唤醒休眠中的主控单元。
　　由于其小尺寸封装和低功耗特性，该芯片特别适合用于空间受限且强调续航能力的嵌入式应用。例如，在智能仪表（如水表、电表、气表）中，BD4726G-TR可在电池电量过低时强制系统复位，进入低功耗保护模式，防止数据损坏或写入异常。同时，它也可用于汽车电子中的非关键子系统，如车载信息娱乐系统的外围控制模块，提供基本的电源监控功能。

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　　 "BD4726G"
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