时间：2025/5/28 12:05:08
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BD450M2FP3-CE2 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，具有高效率和低导通电阻的特性，适用于多种开关电源、电机驱动和负载开关应用。
该芯片特别适合需要高性能和高可靠性的工业及消费类电子设备，例如适配器、充电器以及家用电器等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：7.7nC
输入电容（典型值）：1450pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
BD450M2FP3-CE2 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在高电流应用中能够有效减少功率损耗。
2. 高耐压能力，支持高达 60V 的漏源电压，确保在各种复杂环境下稳定运行。
3. 快速开关性能，得益于其优化设计的栅极电荷参数，可降低开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
5. 支持高温工作环境，最高结温可达 175℃，满足工业级要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 各种直流电机驱动方案。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统中的功率路径管理。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
BD450M2FP-E2
IRFZ44N
STP19NM60N
