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BD2670MWV 发布时间 时间:2025/11/8 2:36:17 查看 阅读:24

BD2670MWV是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的MOSFET功率晶体管,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术,具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度以及优异的热稳定性,适用于多种电源管理场景。BD2670MWV属于N沟道增强型MOSFET,广泛用于DC-DC转换器、电机驱动电路、电池供电设备以及负载开关等应用中。其封装形式为SOP-8(小外形封装),带有外露散热焊盘,有助于提高散热性能并降低热阻,从而在高功率密度设计中表现出色。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗静电能力(ESD保护)。
  BD2670MWV的设计目标是提供一种在中等电压范围内(如20V~30V)具有高性能与可靠性的功率开关解决方案。它能够在较高的电流负载下保持较低的功耗,减少系统整体能耗,提升能效水平。此外,该MOSFET在栅极阈值电压(Vth)方面进行了优化,确保与常见的逻辑电平信号兼容,便于直接由微控制器或其他数字控制电路驱动。由于其出色的电气特性和紧凑的封装,BD2670MWV常被用于便携式电子产品、工业控制模块以及汽车电子系统中的低压电源管理单元。

参数

型号:BD2670MWV
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大连续漏极电流(ID):5.0A
  最大脉冲漏极电流(IDM):14A
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ(@ VGS=10V, ID=2.5A)
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ(@ VGS=4.5V, ID=2.5A)
  栅极阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.5V
  输入电容(Ciss):450pF(@ VDS=15V)
  输出电容(Coss):190pF(@ VDS=15V)
  反向恢复时间(trr):25ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-8(外露焊盘)
  热阻(Rth(j-c)):3.0°C/W
  功率耗散(Pd):2.0W(TC=25°C)

特性

BD2670MWV具备多项关键特性,使其在同类MOSFET产品中表现突出。首先,其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗,特别是在大电流应用中,能够有效减少发热,提升系统效率。例如,在同步整流或负载开关应用中,低RDS(on)意味着更小的压降和更高的能量利用率。其次,该器件采用了先进的沟槽栅结构,不仅提高了单位面积的载流能力,还增强了开关速度,缩短了开关过渡时间,从而减少了开关损耗,特别适合高频开关电源使用。
  另一个重要特性是其良好的热性能。SOP-8封装内置了大面积铜焊盘,可以直接焊接至PCB上的散热区域,实现高效的热量传导。这使得BD2670MWV即使在有限空气流动的环境中也能稳定运行,避免因过热导致的性能下降或损坏。同时,其热阻参数(Rth(j-c)仅为3.0°C/W)表明从芯片结到外壳的热传递非常高效,进一步支持高功率操作。
  此外,BD2670MWV具有稳定的栅极氧化层设计,提供了±20V的栅源电压耐受能力,增强了对意外电压瞬变的抵抗能力。其栅极阈值电压范围适中(1.0V~2.5V),可在3.3V或5V逻辑电平下可靠开启,适用于现代低电压控制系统。该器件还具备一定的雪崩耐量能力,在非钳位感性开关测试中表现出一定的鲁棒性,提升了在电机驱动等存在反电动势场景中的可靠性。
  最后,BD2670MWV通过了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)和温度循环试验,确保在严苛环境下长期稳定工作。这些综合特性使其成为中小功率电源系统中理想的功率开关选择。

应用

BD2670MWV广泛应用于多个电子领域,尤其适用于需要高效、小型化和高可靠性的电源管理系统。在DC-DC转换器中,它常作为同步整流器或主开关元件使用,利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率,减少能量损耗,适用于降压(Buck)和升压(Boost)拓扑结构。在电池供电设备如移动电源、便携式医疗仪器和智能手持终端中,该MOSFET可用于电源路径管理和充放电控制,确保电池能量的有效利用并延长续航时间。
  在电机驱动应用中,BD2670MWV可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,作为低端或高端开关,其快速响应能力和良好热性能有助于实现精确的速度和方向控制。此外,在LED驱动电路中,它可以作为恒流调节开关,配合PWM调光技术实现亮度控制,适用于背光照明或指示灯系统。
  该器件也常见于负载开关和热插拔电路设计中,用于控制电源对特定模块的供电通断,防止浪涌电流冲击。其集成的ESD保护和稳健的栅极设计使其在频繁插拔或复杂电磁环境中依然保持稳定。在工业自动化设备、消费类电子产品以及汽车电子辅助系统(如车用USB充电模块)中均有广泛应用。得益于SOP-8封装的小尺寸优势,BD2670MWV非常适合空间受限的高密度PCB布局,满足现代电子产品小型化趋势的需求。

替代型号

Si2302DDS-T1-E3
  AO3400
  FDMC8878
  IPB036N04L

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