型号：BD266238(B58024)
　　制造商：ROHM
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：17A（@Tc=75°C）
　　脉冲漏极电流IDM：70A
　　导通电阻RDS(on)：5.3mΩ @ VGS=10V, ID=8.5A
　　导通电阻RDS(on)：6.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=8.5A
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：1920pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：520pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：90pF @ VDS=15V
　　栅极电荷Qg：29nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间td(on)：10ns
　　关断延迟时间td(off)：22ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

BD266238(B58024) 具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为5.3mΩ，显著降低了在大电流工作状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这一特性使其非常适合应用于对能效要求较高的DC-DC降压变换器和同步整流电路中。同时，在4.5V栅极驱动电压下仍能保持6.8mΩ的低导通电阻，说明该器件兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，可直接由控制器驱动而无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET采用了优化的沟道设计与先进的封装技术，确保了良好的热传导性能和电流承载能力。其最大连续漏极电流可达17A，脉冲电流高达70A，能够应对瞬时高负载需求，如电机启动或电源上电冲击等场景。此外，器件的输入、输出和反向传输电容均经过精心匹配，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升高频工作的稳定性。
　　BD266238(B58024) 还具备良好的栅极电荷特性，总栅极电荷Qg仅为29nC（@VGS=10V），意味着驱动电路所需提供的驱动功率较小，有利于降低驱动IC的功耗并提高开关频率。开启和关断延迟时间分别为10ns和22ns，响应速度快，适合高频开关应用。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境温度下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　该产品还内置了一定程度的静电放电（ESD）防护能力，并通过严格的可靠性测试，符合工业级质量标准。SOP-8封装不仅节省PCB空间，而且引脚布局合理，便于布线和散热设计。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是中等功率密度应用中的优选方案之一。

BD266238(B58024) 广泛应用于各类中低电压功率转换系统中。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的DC-DC电源模块，用于实现高效的电压调节和电源路径管理。在这些设备中，它常作为同步整流MOSFET使用，替代传统二极管以降低导通压降和发热，从而提升电池续航能力和系统能效。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和传感器供电单元中的开关电源部分，承担主开关管或同步整流管的角色。其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现紧凑型高效率电源设计。此外，在LED照明驱动电源中，BD266238(B58024) 可用于升压或降压拓扑结构中，提供稳定的电流输出并减少能量损耗。
　　该MOSFET也常见于电动工具、无人机和便携式医疗设备的电池管理系统中，作为负载开关或保护开关使用。其低导通电阻有助于减少电池放电过程中的能量浪费，延长设备工作时间。在电机驱动电路中，它可以作为H桥中的低端或高端开关元件，实现精确的速度和方向控制。
　　此外，BD266238(B58024) 还适用于USB PD充电器、无线充电发射模块、通信基站电源模块等新兴电子设备中。随着对小型化和高能效需求的不断提升，该器件凭借其优异的电气性能和可靠的封装工艺，已成为众多工程师在中等功率段进行电源设计时的重要选择之一。

SiSS11DN