时间：2025/12/25 11:19:06
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BD2248G-GTR是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装（如SOP或SMT封装），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电系统等场景。BD2248G-GTR的设计注重能效与空间利用率，能够在较小的封装内提供较高的电流承载能力，同时降低功耗和发热。该MOSFET的栅极阈值电压适中，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外，其出色的雪崩耐受能力和抗静电性能增强了在复杂电磁环境下的工作可靠性。作为一款工业级器件，BD2248G-GTR符合RoHS环保标准，并通过了多项国际质量认证，确保在批量应用中的稳定性和一致性。
型号：BD2248G-GTR
通道类型：N沟道
漏源电压(VDSS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：4.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：17.6A
导通电阻(RDS(on))：27mΩ @ VGS=10V, ID=2.2A
导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.2A
栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：500pF @ VDS=15V
反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
开启延迟时间(Td(on))：10ns
上升时间(Tr)：25ns
关断延迟时间(Td(off))：25ns
下降时间(Tf)：15ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOP-8
BD2248G-GTR具备优异的电气性能和热管理能力，其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为27mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这对于高频率开关应用尤为重要，例如在同步整流型DC-DC变换器中，可以有效减少发热并提升转换效率。该器件还表现出良好的动态响应特性，输入电容Ciss为500pF，反向传输电容Crss为50pF，在高频开关操作中能够实现快速充放电，从而缩短开关时间，降低开关损耗。
其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，意味着它可以在较低的驱动电压下开始导通，适合与3.3V或5V逻辑电路直接连接，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止因瞬态过压导致栅氧层击穿，增强了长期使用的可靠性。器件的最大连续漏极电流可达4.4A，脉冲电流支持高达17.6A，使其适用于需要短时大电流输出的应用场景，如电机启动或电源软启动过程。
热性能方面，BD2248G-GTR采用优化的封装设计，具备良好的散热路径，结合150℃的最高工作结温，可在较恶劣的环境温度下稳定运行。内置的体二极管具有一定的雪崩能量承受能力，能够在感性负载切断时提供反向电流泄放通路，避免电压尖峰损坏器件。此外，该MOSFET符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准（若标注），适用于汽车电子中的非主驱类电源模块。整体上，BD2248G-GTR以高集成度、高可靠性和紧凑尺寸成为现代高效电源系统中的理想选择。
BD2248G-GTR主要应用于各类中低功率开关电源系统中，典型用途包括同步整流式DC-DC降压或升压转换器，用于提高电源转换效率，尤其在便携式设备如智能手机、平板电脑、移动电源中发挥重要作用。它也常被用作负载开关，控制电源对特定功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电通路的控制，凭借其低导通电阻减少能量损耗，延长电池续航时间。此外，BD2248G-GTR适用于LED驱动电路中的恒流开关元件，配合PWM调光实现亮度精确调节。在工业控制领域，可用于继电器替代方案或小功率电机驱动电路中的电子开关，提升响应速度和寿命。由于其良好的EMI抑制特性和稳定的开关行为，也可用于通信设备、智能家居控制板及物联网终端设备的电源管理单元。在汽车电子中，若满足车规要求，则可应用于车载信息娱乐系统、传感器供电模块或车内照明控制电路等场景。
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"DMG2248U,K",
"SI2248DS-T1-E3",
"FDMC86280",
"AOZ5248N",
"BSS138K",
"NTJD4215N"
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