型号：BD2225G-TR
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.2A @ 10V VGS
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：16.8A
　　导通电阻(RDS(on))：25mΩ @ 10V VGS
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ 4.5V VGS
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ 15V VDS
　　输出电容(Coss)：190pF @ 15V VDS
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ 15V VDS
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ 10V VDS
　　功率耗散(Pd)：1W (SOP-8)
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

BD2225G-TR具有多项优异的电气与物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on)仅为25mΩ @ 10V VGS）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效，特别适用于对功耗敏感的便携式设备。其次，该器件采用了Rohm先进的沟槽结构工艺，优化了载流子流动路径，从而实现了更高的电流密度和更优的开关速度。这使得BD2225G-TR在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流型DC-DC转换器中，可以有效减少开关损耗并提高转换效率。
　　此外，BD2225G-TR具备良好的热稳定性与可靠性，在1W的功率耗散下仍能稳定运行于+150°C的最大结温范围内，确保了在高温环境下工作的安全性。其较小的输入电容（Ciss=600pF）和栅极电荷（Qg=8nC），进一步降低了驱动电路的负担，减少了栅极驱动所需的能量，有利于简化驱动设计并提升响应速度。同时，该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或低压逻辑信号控制，增强了系统集成度。
　　在保护方面，BD2225G-TR内置了一定程度的抗静电能力，并具备良好的雪崩耐受性，能够在瞬态过压条件下保持一定的鲁棒性。其SOP-8封装不仅体积小巧，便于自动化贴装，而且引脚排列合理，有利于散热设计和PCB布线。综合来看，BD2225G-TR凭借其低RDS(on)、高速开关、高可靠性和紧凑封装等特点，成为中小功率电源管理系统中的理想选择。

BD2225G-TR主要应用于各类中低功率的电源管理与开关控制电路中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压转换器，其中它作为下管或上管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高电源转换效率。在电池供电设备如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器中，该器件常被用作负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机和电源隔离。此外，BD2225G-TR也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中，担任开关元件以调节电机转向与转速。
　　在工业控制系统中，该MOSFET可用于继电器驱动、LED背光调光电路以及各类数字I/O扩展模块中的功率开关。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接到微控制器的GPIO端口，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低成本。在电源多路复用（Power MUX）应用中，BD2225G-TR也可作为主电源与备用电池之间的切换开关，确保系统在主电源失效时能够无缝切换至备用电源，保障关键任务的连续运行。
　　此外，该器件还常见于USB充电管理模块、AC适配器次级侧整流、热插拔控制器以及各种过流保护电路中。得益于其SOP-8封装的小型化优势，非常适合空间受限的高密度PCB设计。总体而言，BD2225G-TR凭借其高性能与高集成度，广泛服务于消费电子、通信设备、工业自动化和汽车电子等多个领域。

DMG2225UHK-7
　　SI2302CDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDS6670A
　　BSS138K