时间：2025/11/7 18:59:42
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BD1HD500EFJ-CE2是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用优化设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用紧凑型的HVSOF5封装，具备低导通电阻和高效率特性，适合对空间和功耗有严格要求的便携式电子设备。其额定电压为+20V，适用于低电压驱动环境，并能提供高达5A的连续漏极电流，确保在轻载和重载条件下均具有出色的性能表现。该MOSFET还集成了热关断保护功能，提升了系统可靠性。
BD1HD500EFJ-CE2遵循环保标准，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，适用于自动化贴片生产线。其产品编号中的“-CE2”后缀表示编带包装规格，便于SMT贴片机供料使用，适用于大批量生产场景。作为一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，BD1HD500EFJ-CE2被广泛用于智能手机、平板电脑、物联网设备及各类消费类电子产品中，尤其适用于需要快速开关响应和低静态功耗的应用场合。
型号：BD1HD500EFJ-CE2
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N-Channel MOSFET
漏源电压（Vds）：20 V
栅源电压（Vgs）：±8 V
连续漏极电流（Id）：5 A
脉冲漏极电流（Id_pulse）：20 A
导通电阻 Rds(on)：30 mΩ（@ Vgs=4.5V, Id=2.5A）
导通电阻 Rds(on)：25 mΩ（@ Vgs=10V, Id=2.5A）
栅极阈值电压（Vth）：0.7 V ~ 1.3 V
输入电容（Ciss）：510 pF @ Vds=10V
输出电容（Coss）：185 pF @ Vds=10V
反向恢复时间（trr）：18 ns
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：HVSOF5
安装方式：表面贴装（SMT）
BD1HD500EFJ-CE2采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V时典型值仅为30mΩ，有效降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这种低Rds(on)特性使得器件在大电流输出下仍能保持较低温升，从而提升系统稳定性和寿命。其优化的芯片结构减少了寄生参数的影响，在高频开关应用中表现出优异的动态响应能力，适用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC转换电路。
该器件的栅极阈值电压较低，典型值为1.0V，可在低电压逻辑信号（如3.3V或1.8V控制器）直接驱动下实现完全导通，无需额外的电平转换电路，简化了外围设计并节省PCB空间。同时，其输入电容较小（Ciss=510pF），降低了驱动功耗，特别适合由PWM控制器或微处理器直接控制的应用场景。
BD1HD500EFJ-CE2内置热关断保护机制，当芯片结温超过安全限值时会自动切断电流路径，防止因过热导致永久性损坏。这一特性增强了系统在异常工况下的鲁棒性，尤其适用于散热条件受限的小型化设备。此外，其封装采用HVSOF5小型化设计，尺寸仅为2.1mm×2.6mm×0.6mm，极大提升了PCB布局灵活性，有助于实现终端产品的轻薄化与高密度集成。
BD1HD500EFJ-CE2主要用于需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式移动设备中的负载开关、电池供电系统的电源路径管理、DC-DC降压变换器的同步整流部分以及LED背光驱动电路中的开关元件。由于其具备低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于同步整流拓扑结构中，替代传统的肖特基二极管以降低正向压降和传导损耗，从而显著提高转换效率。
在智能手机和平板电脑中，该器件常用于主电源轨的开关控制，例如开启/关闭某个功能模块的供电，实现精细化的功耗管理。它也可作为热插拔电路中的控制开关，限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。此外，在工业传感器、IoT节点设备和可穿戴设备中，BD1HD500EFJ-CE2凭借其低静态电流和高可靠性，成为实现长时间待机与瞬时唤醒的理想选择。
该MOSFET还可用于USB电源开关、充电管理单元中的通路控制、FPGA或ASIC的辅助电源上电序列控制等精密电源管理任务。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C）也使其能够适应恶劣环境下的工业级应用需求。
DMG2305UX-7
SI2305DDS-T1-E3
AO3400A
FDS6680A
