型号：BD1937G-TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOP-8（或HVSOF-8）
　　连续漏极电流（ID）：约4.4A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：约17.6A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值1.2V，范围1.0~1.8V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值18mΩ（@ VGS=10V, ID=4.4A）；最大值23mΩ（@ VGS=4.5V, ID=4.4A）
　　输入电容（Ciss）：约700pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：约200pF
　　反向传输电容（Crss）：约50pF
　　栅极电荷（Qg）：约10nC（@ VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：约25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　热阻（Rth(j-c)）：约40°C/W（典型值）

BD1937G-TR具备多项关键电气与物理特性，使其在同类N沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，这对于电池供电设备尤为重要。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为18mΩ，即便在较低的驱动电压（如4.5V）下也能保持23mΩ的低阻值，表明其对栅极驱动要求不高，适用于宽范围的控制信号源。这种特性使得该器件不仅能在标准10V驱动条件下高效运行，也能在逻辑电平驱动（如5V或3.3V系统）中稳定工作，提升了系统的兼容性和灵活性。
　　其次，BD1937G-TR具有优良的开关性能。其输入电容和反向传输电容较小，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的功耗并减少电磁干扰（EMI）。同时，较短的体二极管反向恢复时间（trr≈25ns）减少了续流过程中的开关损耗和电压尖峰，提升了在感性负载切换时的安全性与效率，特别适合用于同步整流和半桥拓扑结构。
　　再者，该器件具备良好的热稳定性和散热能力。采用SOP-8或HVSOF-8封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔有效将热量传导至地层或散热层，从而实现高效的热管理。其热阻Rth(j-c)约为40°C/W，结合适当的PCB布局可确保长期工作的可靠性。此外，最大结温高达150°C，允许其在高温环境下持续运行，增强了恶劣工况下的耐用性。
　　最后，BD1937G-TR内置了保护机制，如雪崩能量耐受能力和过温关断特性（依赖外部电路配合），可在突发过压或短路情况下提供一定程度的自我保护，延长使用寿命并提高系统安全性。这些综合特性使其成为中小功率电源转换应用中的优选器件。

BD1937G-TR主要应用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源管理系统中。常见用途包括但不限于：直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器，作为主开关管或同步整流管使用，尤其适用于便携式设备如智能手机、平板电脑、移动电源等内部的电压调节模块；在电池供电系统中，用于电池充放电控制电路或负载开关，实现低静态功耗和快速响应；在电机驱动电路中，作为H桥或半桥结构中的功率开关元件，驱动小型直流电机或步进电机，广泛应用于玩具、家电和微型机器人等领域。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电源，特别是在恒流源设计中作为调整管使用，能够精确控制输出电流并减少发热。在工业控制设备中，BD1937G-TR可用于继电器驱动、传感器供电开关或隔离电源的同步整流部分，提升整体系统效率。由于其封装为表面贴装型，非常适合自动化贴片生产，满足大批量制造需求。在通信设备中，如路由器、交换机的板载电源模块中，也可作为次级侧开关管使用，保障电源转换效率和稳定性。总之，凡是需要低RDS(on)、中等电流承载能力和良好热性能的开关应用，BD1937G-TR都是一个理想选择。

BUK7Y214-30E
　　SI2300ADS-T1-E3
　　AO3400