时间：2025/12/29 14:16:32
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BD107是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Rohm Semiconductor制造。这种晶体管被设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻和高电流容量，适合在电源管理、DC-DC转换器和电机控制等电路中使用。BD107采用TO-220封装，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：30W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
栅极电荷（Qg）：30nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）
BD107具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗和提高效率。其高电流容量和优异的热性能使其适用于高功率密度设计。该晶体管的开关速度快，适用于高频开关应用。此外，BD107具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装提供了良好的散热性能，便于在各种电路中安装和使用。
BD107的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，这使其兼容多种驱动电路。该晶体管还具有较低的反向恢复损耗，适用于高效能转换器和整流器应用。此外，BD107的短路耐受能力较强，提高了系统在异常情况下的可靠性。
在实际应用中，BD107的封装设计和引脚排列使其易于焊接和安装，适合多种电路拓扑结构。其电气性能稳定，适用于工业电源、电机驱动、LED照明等广泛领域。
BD107广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、LED驱动器和电池充电器等。在工业自动化和汽车电子系统中，BD107也常用于高功率开关和负载管理。此外，该晶体管还可用于逆变器、不间断电源（UPS）以及需要高效率和高可靠性的功率管理应用。
IRFZ44N, STP15NF06L, FDP6675, SiHH44N60E
