时间：2025/8/15 0:38:43
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BD1050CT是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率和高频应用。其设计旨在提供高效的功率转换和良好的热性能。
类型：N沟道
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：80nC
工作温度范围：-55°C至175°C
BD1050CT具有低导通电阻，以减少功率损耗并提高效率。
该器件的高电流处理能力使其适用于高功率应用。
此外，BD1050CT具备良好的热管理特性，能够在高温环境下稳定工作。
其封装设计优化了散热性能，延长了器件的使用寿命。
该MOSFET适用于高频开关应用，具有快速开关速度和较低的开关损耗。
BD1050CT常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及工业自动化设备等高功率应用场景。
由于其优异的性能，BD1050CT也可用于电动汽车和太阳能逆变器等新能源领域。
SiHF50N60E、IRF50N60A、STP50NF06
