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BCX19T116 发布时间 时间:2025/12/25 11:04:19 查看 阅读:25

BCX19T116是一款由Nexperia(原Philips Semiconductors)生产的通用型NPN双极结型晶体管(BJT),广泛应用于中低功率的开关和放大电路中。该器件采用SOT-23(TO-236AB)小型表面贴装封装,适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。BCX19T116在制造过程中遵循严格的工业标准,具有良好的一致性和可靠性,适合自动化贴片生产流程。其主要面向消费电子、工业控制、通信设备以及电源管理等应用领域。该晶体管经过优化,可在较宽的温度范围内稳定工作,具备较高的电流增益和快速的开关响应能力,是许多基础电子电路中的关键元件之一。此外,BCX19T116符合RoHS环保要求,不含铅(Pb),属于无卤素产品,满足现代电子产品对环境友好材料的需求。由于其标准化参数和广泛供货渠道,BCX19T116成为工程师在设计中小信号处理系统时常用的优选器件之一。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50 V
  集电极-基极电压(VCBO):60 V
  发射极-基极电压(VEBO):5 V
  集电极电流(IC):100 mA
  功耗(Ptot):250 mW
  直流电流增益(hFE):110 至 450(典型值为220)
  过渡频率(fT):150 MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装:SOT-23 (TO-236AB)

特性

BCX19T116作为一款高性能NPN双极结型晶体管,在电气性能与物理结构上均表现出优异的综合特性。
  首先,该器件具有适中的电压耐受能力,其集电极-发射极击穿电压VCEO可达50V,能够胜任大多数低压电源系统中的开关与信号调节任务。同时,最大集电极电流为100mA,足以驱动继电器、LED指示灯或小功率负载,且在线性放大应用中可提供稳定的增益表现。其直流电流增益hFE范围为110至450,这一较宽但可控的增益区间使得它在批量生产中仍能保持良好的电路匹配性,减少外围补偿元件的设计复杂度。
  其次,BCX19T116的高频特性良好,过渡频率fT高达150MHz,使其不仅可用于直流或低频开关控制,还能应用于射频前端、音频放大及脉冲信号处理等中高频场景。这扩展了其在无线通信模块、传感器接口和数字逻辑驱动中的适用范围。
  再者,SOT-23封装赋予其极小的占板面积和轻量化特点,非常适合便携式设备如智能手机、可穿戴装置和物联网节点的应用需求。该封装还具备良好的热传导性能,在正常工作条件下可通过PCB散热路径有效降低结温上升,从而提升长期运行的稳定性。
  此外,BCX19T116的工作温度范围覆盖-55°C到+150°C,可在极端环境条件下可靠运行,适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求较高的场合。器件内部采用先进的硅外延工艺制造,确保了低漏电流、高开关速度和抗噪声干扰能力。整体而言,BCX19T116以其均衡的技术指标、成熟的供应链支持和广泛的兼容性,成为中小信号晶体管市场中的主流选择之一。

应用

BCX19T116因其优良的电气特性和紧凑的封装形式,被广泛应用于多种电子系统中。
  在消费类电子产品中,常用于LCD背光驱动、按键扫描缓冲、音频信号前置放大以及微控制器输出级的电平转换与负载驱动。例如,在智能手表或蓝牙耳机中,BCX19T116可以作为状态指示灯的开关元件,实现高效节能的间歇点亮控制。
  在工业控制领域,该晶体管多用于PLC输入/输出模块中的信号隔离与放大,也可作为传感器信号调理电路的一部分,将微弱感应信号进行初步增幅后再送入ADC采样。由于其具备一定的抗电磁干扰能力和温度稳定性,因此能在工厂环境中长期可靠运行。
  通信设备方面,BCX19T116可用于电话线路接口、RS-232电平转换器或无线收发模块中的射频开关单元。其150MHz的过渡频率支持UHF频段以下的信号切换操作,适合构建简单的调制解调前端电路。
  此外,在电源管理系统中,它可以作为线性稳压器的外部达林顿管或过流保护电路中的检测开关,配合电阻网络实现自动切断功能。在汽车电子中,尽管非专用车规等级,但在部分辅助照明控制、车载信息面板或诊断接口中仍有使用案例,前提是工作条件在其额定参数范围内。
  总之,BCX19T116凭借其通用性强、成本低廉、易于获取等优势,成为各类嵌入式系统和模拟电路设计中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

BC817-25, BCX18, MMBT3904, 2N3904

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BCX19T116参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)-
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大-
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SST3
  • 包装带卷 (TR)