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BCX19LT1G 时间：2022/12/13 13:51:27 阅读：630

类型:NPN

集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):45

集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500

概述

类型:NPN

集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):45

集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500

直流电流增益hFE最小值(dB):100

直流电流增益hFE最大值(dB):600

最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－

功率耗散PD（W）@25℃:0.225

封装/温度(℃):SOT-23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

BCX19LT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

BCX19LT1G
深圳市金灿利电子科技有限公司
8054
ON
2023+/SOT23

BCX19LT1G
深圳闻舟科技有限公司
1529
ONSemi
22+/SOT23

BCX19LT1G
深圳市莱多米科技电子有限公司
10030
ONSEMI
SOT23/2019+

BCX19LT1G
深圳闻舟科技有限公司
1529
ONSemi
22+/SOT23

BCX19LT1G
深圳市积美福电子科技有限公司
15000
ONSEMI
22+/SOT233

BCX19LT1G
深圳市广弘电子有限公司
12100
ON/安森美
SOT23/20+

BCX19LT1G
深圳中和芯盛科技有限公司
6258
ON
22+/SOT23

BCX19LT1G
深圳市科昂电子集团有限公司
36500
ONSEMI
22+/NA

BCX19LT1G
深圳市俊程时代科技有限公司
324000
ON
20+/SOT23

BCX19LT1G
深圳市嘉晟联丰科技有限公司
11995
ON
SOT23/11+

BCX19LT1G
深圳市郓州科技有限公司
6500
ON
23+/SOT23

BCX19LT1G
北京南电科技发展有限公司
1100
onsemi
-/SOT233

BCX19LT1G
深圳市石芯电子有限公司
10000
ON
23+/N/A

BCX19LT1G
深圳市岳泰达电子有限公司
12500
ON
24+/TSSOP

BCX19LT1G
深圳市佳微科技有限公司
90000
AD
23+/DIP20

BCX19LT1G
北京天阳诚业科贸有限公司
597
ON SEMICONDUCTOR
24+/con

BCX19LT1G
深圳市伟科芯电子科技有限公司
6740
ON
23+/SOT23

BCX19LT1G
深圳市跃创芯科技有限公司
12000
ON/安森美
22+/SOT23(SOT233)

BCX19LT1G
深圳市安富世纪电子有限公司
105000
ON/安森美
23+/SOT23

BCX19LT1G
深圳市华斯顿科技有限公司
12800
ON/安森美
2321+/SOT23

BCX19LT1G资料更多>

型号
描述
品牌
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BCX19LT1G
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
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IC词条百科

BCX19LT1G产品

BCX19LT1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路
系列-
晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）620mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大）-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA，1V
功率 - 最大225mW
频率 - 转换-
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
包装带卷 (TR)
其它名称BCX19LT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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