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BCX19LT1G 发布时间 时间:2022/12/13 13:51:27 查看 阅读:654

    类型:NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45

    集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500

    

目录

概述

    类型:NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45

    集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500

    直流电流增益hFE最小值(dB):100

    直流电流增益hFE最大值(dB):600

    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):-

    功率耗散PD(W)@25℃:0.225

    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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BCX19LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)620mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BCX19LT1GOSTR