时间：2025/9/14 19:39:15
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BCW68HR是一款由NXP Semiconductors生产的NPN型高频晶体管，主要用于射频（RF）和高频应用领域。该晶体管采用先进的硅外延平面技术制造，具有优异的高频响应和良好的线性放大性能。BCW68HR通常用于通信设备、射频放大器、混频器、振荡器等高频电路中。其SOT-23封装形式使其非常适合在空间受限的电路板设计中使用。
晶体管类型：NPN型
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
过渡频率（fT）：100 MHz
电流增益带宽积（fT）：100 MHz
电流放大系数（hFE）：110（最小值，典型值200）
封装类型：SOT-23
BCW68HR晶体管具有多项优良的电气特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）达到100 MHz，使得该晶体管非常适合用于高频放大和信号处理。其次，该晶体管的电流放大系数（hFE）最低为110，在典型工作条件下可达200，具有较高的增益稳定性，适合用于需要线性放大的应用。
此外，BCW68HR采用SOT-23小型封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。该晶体管的工作温度范围较宽，通常在-55°C至+150°C之间，适用于各种工业和通信环境。
BCW68HR的基极-发射极电压（Vbe）约为1.0V，具有较低的开启电压，有助于提高电路的效率。同时，该晶体管在高频工作状态下仍能保持较低的噪声系数，适用于射频接收前端和低噪声放大电路。
BCW68HR晶体管广泛应用于射频和高频电子系统中。其典型应用包括射频放大器、混频器、振荡器、调制解调器、无线通信模块、数据传输设备以及射频识别（RFID）系统等。由于其良好的高频响应和线性放大性能，BCW68HR常用于射频前端电路中，作为低噪声放大器（LNA）或驱动放大器。
此外，该晶体管也适用于各类高频振荡器电路，如压控振荡器（VCO）和本地振荡器（LO），在无线通信系统中起到关键作用。在射频接收系统中，BCW68HR可用于提高信号的灵敏度和稳定性，从而提升整体系统性能。
由于其SOT-23封装形式，BCW68HR也常用于便携式电子设备、无线传感器网络、工业控制系统和消费类电子产品中，作为高频信号处理的关键元件。
BCW67HR, BC847, 2N3904, BFQ54, BFQ67
