BCW66HR,215是一种双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于开关和放大电路中。该型号属于高压、高电流的NPN型晶体管,广泛应用于功率驱动、电源管理以及各类工业电子设备中。
该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压(Vce)和较大的集电极电流(Ic),能够承受较高的功率损耗,适用于需要大电流驱动的应用场景。
集电极-发射极击穿电压:80V
集电极最大电流:15A
直流电流增益(hFE):10~70
总功耗:200W
工作温度范围:-55℃~150℃
存储温度范围:-55℃~150℃
封装类型:TO-220
BCW66HR,215晶体管具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,可承受高达80V的集电极-发射极电压,适用于高压环境下的应用。
2. 支持高达15A的集电极电流,适合用于大电流驱动场合。
3. 较宽的工作温度范围(-55℃~150℃),确保在极端条件下仍能稳定运行。
4. 封装为标准的TO-220形式,便于散热设计和安装。
5. 直流电流增益(hFE)范围为10到70,适合用作开关或线性放大元件。
该晶体管广泛应用于以下领域:
1. 功率放大器:作为音频功率放大器中的输出级器件。
2. 开关电路:用于继电器驱动、电机控制等场景。
3. 电源管理:例如开关电源中的功率开关元件。
4. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等,提供大电流驱动功能。
5. 汽车电子:用于汽车内的负载切换和控制模块。
BCW66H, BDW66C