晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C

BCW30-NL 具有出色的电气性能和稳定的开关特性。其最大集电极-发射极电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适合用于中等功率应用。晶体管的集电极电流最大为 100mA，适用于低功耗电路设计。SOT-23 小型封装使其适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
　　该晶体管的增益带宽积（fT）高达 100MHz，能够在高频应用中提供良好的性能，适用于高速开关和信号放大。BCW30-NL 还具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于减少功率损耗，提高能效。
　　此外，BCW30-NL 在制造过程中采用了严格的工艺控制，确保了器件的高可靠性和一致性，适用于汽车电子、工业控制、通信设备以及消费类电子产品中的多种应用场景。

BCW30-NL 主要用于各种电子设备中的开关和放大电路。在数字电路中，它常用于驱动继电器、LED 和小型电机等负载。在模拟电路中，BCW30-NL 可用于音频放大器前置级、信号缓冲器以及电压调节器等应用。
　　由于其高频率响应特性，BCW30-NL 也适用于射频（RF）前端电路中的信号放大和混频。在汽车电子领域，该晶体管可用于车载传感器、ECU（电子控制单元）以及车载娱乐系统的信号处理电路。
　　此外，BCW30-NL 也常用于电源管理电路、DC-DC 转换器的驱动级、逻辑电平转换以及各种嵌入式系统中的信号控制和接口电路。

BCW30-NL 可以用 BCW30, BCW30-7-F, BCW30LT1G 等型号替代