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BCV65,215 发布时间 时间:2025/9/14 18:40:13 查看 阅读:9

BCV65,215 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于通用放大和开关应用,具有良好的高频响应和较高的电流增益(hFE)。BCV65,215 采用 SOT-23 封装,适用于各种电子电路设计。其主要特点包括高可靠性、低饱和压降以及良好的热稳定性。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):45 V
  集电极-基极电压(VCBO):50 V
  发射极-基极电压(VEBO):5 V
  集电极电流(IC):100 mA
  功耗(PD):300 mW
  电流增益(hFE):110 至 800(取决于测试条件)
  截止频率(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

BCV65,215 具有多种优良的电气和机械特性,使其适用于各种电子应用。首先,其高电流增益(hFE)范围(110 至 800)使得该晶体管能够在不同的工作条件下保持良好的放大性能。这使得它非常适合用于需要高增益放大的电路设计。
  其次,BCV65,215 拥有较高的截止频率(fT 为 100 MHz),这意味着它可以在较高频率下正常工作,适用于射频(RF)和高速开关应用。此外,该晶体管的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))较低,通常在 250 mV 以下(在 IC = 100 mA 和 IB = 5 mA 时),这有助于减少功率损耗,提高电路效率。
  BCV65,215 采用 SOT-23 封装,这是一种小型表面贴装封装,具有较好的热性能和机械稳定性。这种封装形式适用于自动化生产流程,并且可以在有限的空间内实现高效能的电路布局。
  此外,该晶体管的极限工作电压(VCEO 为 45 V,VCBO 为 50 V)使其能够在相对较高的电压环境下稳定运行,适用于多种电源管理和信号放大电路。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保其在极端温度条件下的可靠性。
  最后,BCV65,215 的设计还具有良好的热稳定性,即使在长时间高负载运行的情况下也能保持稳定的性能。这些特性使其成为一款适用于多种电子系统的高性能晶体管。

应用

BCV65,215 主要应用于通用电子电路中,特别是在需要放大和开关功能的场合。其高增益和高频响应特性使其适用于音频放大器、射频(RF)放大器以及信号处理电路。
  在数字电路中,BCV65,215 可用于晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路中的开关元件,或者作为驱动继电器、LED 和小型电机的开关器件。由于其低饱和压降,它在电源管理和低功耗应用中也表现出色。
  此外,该晶体管还可用于传感器接口电路、电压调节器、振荡器和定时电路等。其广泛的应用范围还包括消费电子产品、工业控制系统、汽车电子和通信设备等领域。
  在射频应用中,BCV65,215 可用于构建低噪声放大器(LNA)或混频器,适用于无线通信系统中的前端信号处理部分。其高频性能和稳定性使其在这些应用中表现出色。

替代型号

BCV66,215 / BCX55 / BCX56 / BC548 / 2N3904

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BCV65,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)75 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大250mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商设备封装SOT-143B
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称933831500215BCV65 T/RBCV65 T/R-ND