型号：BCR8KM12L
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800 V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.5 A（@TC=100°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：22 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻 RDS(on) max：1.2 Ω（@VGS=10V, ID=2.8A）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值3.0 V，范围2.0~4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值16 nC（@VGS=10V, VDS=400V, ID=2.8A）
　　输入电容（Ciss）：典型值570 pF（@VDS=400V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值94 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值32 ns
　　功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PG-SOT223-4

BCR8KM12L采用了英飞凌领先的TrenchSTOP?技术，这项技术通过优化的沟道结构设计显著降低了导通电阻与开关损耗之间的折衷关系，使得器件在保持高击穿电压的同时实现更低的RDS(on)，提高了能源转换效率。
　　该器件的栅极设计经过精细调校，具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这直接减少了驱动电路所需的能量，并允许更高的开关频率运行，适用于高频SMPS拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激式电源。同时，较低的输入电容也有助于减少驱动损耗，提升系统动态响应能力。
　　BCR8KM12L集成了一个快速恢复体二极管，具有较短的反向恢复时间（trr），可有效降低在硬开关条件下因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高系统的可靠性和稳定性。这对于桥式电路或电机驱动中频繁发生续流的应用尤为重要。
　　其SOT223-4封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备优良的散热性能。背面裸露焊盘可以直接焊接至PCB上的大面积铜箔，形成高效的热传导路径，帮助将内部产生的热量迅速散发出去，从而延长器件寿命并支持持续高功率运行。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品要求。它还具备良好的雪崩耐受能力，在异常过压情况下表现出较强的鲁棒性，适合工业级严苛环境下的长期稳定运行。

BCR8KM12L广泛应用于多种中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效能与小尺寸兼顾的设计场合。
　　在开关模式电源（SMPS）领域，它常用于反激式、正激式及LLC谐振转换器中作为主开关器件，适用于AC-DC适配器、工业电源模块以及服务器电源单元等产品。其高耐压能力和低损耗特性使其能够适应宽输入电压范围（如通用输入85–265V AC）下的高效转换需求。
　　在电机控制方面，BCR8KM12L可用于中小型交流或直流电机的驱动电路中，例如家用电器（如洗衣机、吸尘器）、电动工具及风扇控制器中，实现精确的PWM调速功能。其快速开关能力和良好热性能保障了长时间工作的稳定性。
　　此外，该器件也适用于光伏逆变器、UPS不间断电源、DC-DC升压/降压转换器等新能源与工业电源设备中。在这些应用中，BCR8KM12L可以作为初级侧开关或同步整流控制元件，提升系统整体能效。
　　由于其封装形式适合自动化贴装工艺，因此在大批量生产环境中具有明显优势，广泛用于消费类、工业类及通信类电子产品的电源管理子系统中。

IPD80N8S3L-03
　　SPW47N80C3
　　STP8NK80ZFP