类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：30 A
　　导通电阻RDS(on) @10V VGS：0.16 Ω
　　导通电阻RDS(on) @4.5V VGS：0.21 Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3 V ~ 4 V
　　输入电容（Ciss）：950 pF
　　输出电容（Coss）：280 pF
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1 (SuperSO8)
　　极性：N沟道
　　配置：单N沟道
　　功率耗散（Ptot）：50 W
　　栅极电荷（Qg）@10V：30 nC

BCR50GM-16L采用了英飞凌专有的Trenchstop?技术，这一先进的沟槽型功率MOSFET结构显著优化了导通电阻与开关性能之间的平衡。通过降低单位面积的RDS(on)，该器件能够在较小的芯片尺寸下实现更低的导通损耗，从而提升整体能效。其典型的RDS(on)为160mΩ（在VGS = 10V时），这使得它非常适合用于需要低导通损耗的中等功率应用，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源和光伏逆变器等。
　　该器件的开关特性同样出色，输入电容（Ciss）约为950pF，结合较低的栅极电荷（Qg典型值为30nC），使其在高频开关环境中能够减少驱动损耗并加快开关速度。这对于提高电源系统的开关频率、缩小磁性元件体积具有重要意义。同时，较短的反向恢复时间（trr为35ns）减少了体二极管在续流过程中的反向恢复电荷，有助于降低电磁干扰（EMI）并防止因换流引起的电压尖峰，从而增强系统稳定性。
　　热性能方面，BCR50GM-16L采用PG-HSOF-8-1封装，该封装具有优异的散热能力，热阻Rth(j-c)低至2.5 K/W，允许器件在高功率密度条件下长期稳定运行。此外，该封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提高组装效率。由于其小型化设计，在空间受限的应用中尤其受欢迎。
　　安全性和可靠性也是该器件的重要优势。BCR50GM-16L具备良好的雪崩耐量，能够承受一定程度的电感负载断开时产生的能量冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，器件经过严格的老化测试和质量控制流程，确保在工业级温度范围内（-40°C至+150°C）可靠工作。

BCR50GM-16L广泛应用于多种中等功率电力电子系统中。常见用途包括离线式开关电源（SMPS），特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中作为主开关管使用。由于其500V的耐压等级和良好的效率表现，非常适合用于200W以下的AC-DC转换器设计，例如笔记本电脑适配器、电视电源板和工业控制电源模块。
　　在DC-DC转换器领域，该MOSFET可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构中，实现高效的电压变换功能。此外，在LED照明驱动电路中，BCR50GM-16L可作为恒流源的开关元件，提供稳定的电流输出，同时保持高光效和长寿命。
　　其他应用场景还包括小型逆变器（如太阳能微逆变器）、电机控制电路（如风扇驱动、泵类设备）以及 uninterruptible power supplies (UPS) 中的功率级开关。其高集成度和优良的热管理能力使其成为替代传统TO封装MOSFET的理想选择，尤其是在追求小型化和高效化的现代电子产品中。

IPD50N06S4L-03
　　SPW47N60C3
　　STP5NK60ZFP
　　FQP5N50C
　　K25T50