类型：NPN双晶体管
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　最大集电极-发射极电压(VCEO)：50V
　　最大发射极-基极电压(VEBO)：5V
　　最大集电极电流(IC)：100mA
　　最大功耗(PD)：250mW
　　直流电流增益(hFE)：100 至 400
　　过渡频率(fT)：250MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　每芯片基极-发射极饱和电压(VBE(sat))：约0.7V @ IC = 10mA
　　每芯片集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：约0.1V @ IC = 10mA, IB = 0.5mA

BCR421UW6-7的核心特性之一是其双NPN晶体管集成设计，在一个微型SOT-363封装中集成了两个完全独立的NPN晶体管，极大提升了单位面积内的功能密度，非常适合对空间敏感的应用场景。每个晶体管均具备良好的直流电流增益（hFE），典型值在100至400之间，确保了在宽电流范围内都能实现稳定的放大或开关操作。该器件的最高集电极-发射极电压为50V，允许其在多数低压电源系统中安全运行，例如3.3V、5V甚至部分12V控制系统。其最大集电极电流可达100mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯、蜂鸣器或其他低功耗负载。
　　该晶体管具有较高的过渡频率（fT高达250MHz），意味着它不仅适用于直流和低频开关应用，也能胜任中高频信号处理任务，如小信号放大或脉冲整形电路。其快速的开关响应能力减少了导通与关断延迟时间，有助于提高整体系统效率并降低动态损耗。SOT-363封装具有较小的寄生电感和电容，有利于高频性能表现，同时支持回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。
　　BCR421UW6-7还具备良好的热稳定性，能够在-55°C到+150°C的结温范围内可靠工作，满足工业级和汽车级环境要求。器件的基极-发射极和集电极-发射极饱和电压较低，分别约为0.7V和0.1V，在小信号驱动条件下即可实现充分导通，降低了驱动电路的设计难度。此外，该器件符合无铅和RoHS标准，体现了绿色环保设计理念。其高可靠性与长期供货保障使其成为众多OEM厂商优选的通用晶体管解决方案之一。

BCR421UW6-7因其双通道、小封装和高性能的特点，被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中，常用于LCD背光驱动、按键扫描矩阵中的开关元件、音频信号切换或耳机插拔检测电路。在通信设备中，可用于逻辑电平转换、信号门控或缓冲级设计。由于其支持高频操作，也可作为射频前端的小信号放大器或调制解调路径中的增益单元。
　　在工业控制领域，该器件可用于传感器信号调理电路中的开关或放大环节，例如光电传感器输出的电平翻转或中断触发。在电源管理系统中，常用于负载开关、电池充放电状态指示或稳压器使能控制。此外，在嵌入式系统和微控制器外围电路中，BCR421UW6-7可充当GPIO扩展驱动器，用于驱动多个LED状态灯或多路低电流负载。
　　得益于其SOT-363封装的小尺寸优势，该器件特别适合用于可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等高度集成的产品中，帮助工程师优化PCB布局，减少组件数量。同时，其双晶体管结构也适用于差分放大、推挽输出或互补驱动拓扑中，提供灵活的设计选择。总之，无论是在模拟还是数字电路中，只要涉及低功率信号控制与放大，BCR421UW6-7都是一种经济高效且性能可靠的解决方案。

BC847BDW1T1G
　　MMBT3904DW1T1G
　　FMMT222TA
　　MAX44009WTSA+T