时间：2025/9/7 7:21:16
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BCR08AS-12是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的双极性晶体管（BJT）阵列器件。该器件内部集成了两个NPN晶体管，通常用于需要高频率响应和低功率消耗的电路设计中。该晶体管阵列具有良好的热稳定性和电流驱动能力，因此在放大器、开关电路和逻辑电路中得到了广泛应用。BCR08AS-12采用SOT-23封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合在空间受限的电路板上使用。
晶体管类型：NPN双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（Vce）：12V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Ptot）：300mW
最大工作温度：150°C
封装类型：SOT-23
电流增益（hFE）：110-800（根据不同的工作条件）
过渡频率（fT）：100MHz
集电极-基极击穿电压（Vcb）：15V
发射极-基极击穿电压（Veb）：5V
BCR08AS-12的两个NPN晶体管共享相同的基极连接，这种结构使其在双路放大或并联操作中表现出色。该晶体管阵列具有出色的电流匹配特性，这在需要对称信号处理的应用中非常重要，例如差分放大器或推挽式输出级。此外，BCR08AS-12的封装设计使其具备良好的热管理和高频响应能力，能够稳定地工作在100MHz以上的频率范围内。其低饱和电压（Vce_sat）也使其在开关电路中具有较低的功耗，从而提高了整体能效。这款晶体管还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上抵御静电放电（ESD）对器件的损害，提高了电路的可靠性。此外，由于其采用标准的SOT-23封装，BCR08AS-12与大多数现代PCB组装工艺兼容，便于自动化生产和维修。
BCR08AS-12常用于各种电子设备中的信号放大、开关控制和逻辑电路设计。它在音频放大器中可作为输入级或前置放大级，提供良好的线性度和低噪声性能。在数字电路中，该器件可用于构建逻辑门、缓冲器和驱动电路，尤其适用于需要双路信号处理的场合。由于其高频特性，BCR08AS-12也广泛应用于射频（RF）前端电路、无线通信模块和传感器接口电路中。此外，该晶体管阵列还可用于电源管理电路、DC-DC转换器以及各种低功耗便携式电子设备中。
BCR08AS-16, BCR08AM-12, BC847
