BCR08AS-12是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件内部集成了两个NPN晶体管,通常用于需要高频率响应和低功率消耗的电路设计中。该晶体管阵列具有良好的热稳定性和电流驱动能力,因此在放大器、开关电路和逻辑电路中得到了广泛应用。BCR08AS-12采用SOT-23封装形式,适用于表面贴装技术(SMT),非常适合在空间受限的电路板上使用。
晶体管类型:NPN双极性晶体管
最大集电极-发射极电压(Vce):12V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
最大工作温度:150°C
封装类型:SOT-23
电流增益(hFE):110-800(根据不同的工作条件)
过渡频率(fT):100MHz
集电极-基极击穿电压(Vcb):15V
发射极-基极击穿电压(Veb):5V
BCR08AS-12的两个NPN晶体管共享相同的基极连接,这种结构使其在双路放大或并联操作中表现出色。该晶体管阵列具有出色的电流匹配特性,这在需要对称信号处理的应用中非常重要,例如差分放大器或推挽式输出级。此外,BCR08AS-12的封装设计使其具备良好的热管理和高频响应能力,能够稳定地工作在100MHz以上的频率范围内。其低饱和电压(Vce_sat)也使其在开关电路中具有较低的功耗,从而提高了整体能效。这款晶体管还具有良好的抗静电能力,能够在一定程度上抵御静电放电(ESD)对器件的损害,提高了电路的可靠性。此外,由于其采用标准的SOT-23封装,BCR08AS-12与大多数现代PCB组装工艺兼容,便于自动化生产和维修。
BCR08AS-12常用于各种电子设备中的信号放大、开关控制和逻辑电路设计。它在音频放大器中可作为输入级或前置放大级,提供良好的线性度和低噪声性能。在数字电路中,该器件可用于构建逻辑门、缓冲器和驱动电路,尤其适用于需要双路信号处理的场合。由于其高频特性,BCR08AS-12也广泛应用于射频(RF)前端电路、无线通信模块和传感器接口电路中。此外,该晶体管阵列还可用于电源管理电路、DC-DC转换器以及各种低功耗便携式电子设备中。
BCR08AS-16, BCR08AM-12, BC847