BCP72ME6787是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和高可靠性应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,适合于开关电源、电机驱动、负载开关等应用场景。
其封装形式通常为TO-220或D2PAK,能够有效降低功耗并提高系统效率。此外,BCP72ME6787还具备强大的浪涌电流能力,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:650V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:14A
导通电阻(典型值):0.12Ω
总功耗:130W
结温范围:-55℃至+150℃
栅极电荷:35nC
反向恢复时间:9ns
1. 极低的导通电阻降低了传导损耗,从而提高了整体效率。
2. 快速开关特性使其适用于高频开关应用。
3. 高耐压能力确保在高压环境下可靠运行。
4. 内置ESD保护功能增强了器件的鲁棒性。
5. 热性能优异,散热能力强,能够承受较高的结温。
6. 支持表面贴装和通孔安装,便于不同类型的电路板设计。
7. 符合RoHS标准,环保且无铅。
BCP72ME6787广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 电机驱动电路中的逆变器和斩波器。
3. 负载开关和保护电路。
4. LED照明系统的驱动器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 适配器和充电器中的同步整流电路。
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
IRF840
STP14NM60
FQP17N60